Lu10Ga4BiTe

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3269480 · 空间群: Amm2 (#38)

Materials Project API

基础信息

化学式

Lu10Ga4BiTe

MP-ID

mp-3269480

元素数

位点数

密度

9.9727

g/cm³

体积

393.82

Å³

晶胞参数 a

8.4739

晶胞参数 b

8.4739

晶胞参数 c

6.3422

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.15

空间群

Amm2

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
12.08	7.3277	4.2	(1,0,-1,0)
18.50	4.7955	2.7	(1,0,-1,1)
21.01	4.2275	5.9	(1,1,-2,0)
24.29	3.6638	19.5	(2,0,-2,0)
25.28	3.5231	5.9	(2,-1,-1,1)
28.13	3.1725	8.4	(2,0,-2,1)
28.14	3.1711	23.8	(0,0,0,2)
30.71	2.9113	31.1	(1,-1,0,2)
30.72	2.9103	19.7	(1,0,-1,2)
32.26	2.7749	40.0	(3,-2,-1,0)
32.29	2.7723	13.7	(3,-1,-2,0)
32.34	2.7678	11.1	(2,1,-3,0)
35.31	2.5422	14.4	(3,-2,-1,1)
35.31	2.5422	14.4	(2,-3,1,1)
35.33	2.5402	70.3	(3,-1,-2,1)
35.35	2.5388	100.0	(2,-1,-1,2)
35.38	2.5368	69.3	(2,1,-3,1)
35.38	2.5367	31.0	(1,1,-2,2)
36.71	2.4480	25.4	(3,-3,0,0)
36.80	2.4426	30.2	(3,0,-3,0)
37.51	2.3977	6.6	(2,0,-2,2)
42.68	2.1185	1.1	(4,-2,-2,0)
43.35	2.0871	4.0	(3,-1,-2,2)
44.55	2.0337	4.4	(4,-1,-3,0)

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能量属性

形成能/原子

-0.72677

eV/atom

能量/原子

-32.63236

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-32.6324

eV/atom

体积/原子

24.61

Å³

c/a 比

0.7484

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0284

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000070

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Lu · 0.625

元素家族

Lanthanide

溶质分数

0.375

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

0.9869

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.2051

J/mol·K

Ω 参数

19.1548

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

11.022%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3106

越小混合越稳定

VEC

2.563

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-0.582

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7119

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaaheang

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3269480

参考引用

The crystal structure and related material properties of Lu10Ga4BiTe were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3269480, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Lu10Ga4BiTe
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.47394200
_cell_length_b   8.47394161
_cell_length_c   6.34222331
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.14814439
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Lu10Ga4BiTe
_chemical_formula_sum   'Lu10 Ga4 Bi1 Te1'
_cell_volume   393.81555188
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Lu  Lu0  1  0.67981553  0.32055912  0.00075481  1.0
  Lu  Lu1  1  0.32055912  0.67981553  0.00075481  1.0
  Lu  Lu2  1  0.32055912  0.67981553  0.49924519  1.0
  Lu  Lu3  1  0.67981553  0.32055912  0.49924519  1.0
  Lu  Lu4  1  0.77002317  0.77002317  0.75000000  1.0
  Lu  Lu5  1  0.23276530  0.98183562  0.75000000  1.0
  Lu  Lu6  1  0.98183562  0.23276530  0.75000000  1.0
  Lu  Lu7  1  0.22967455  0.22967455  0.25000000  1.0
  Lu  Lu8  1  0.76764896  0.01858155  0.25000000  1.0
  Lu  Lu9  1  0.01858155  0.76764896  0.25000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.59838720  0.99313641  0.75000000  1.0
  Ga  Ga11  1  0.99313641  0.59838720  0.75000000  1.0
  Ga  Ga12  1  0.40140134  0.00776733  0.25000000  1.0
  Ga  Ga13  1  0.00776733  0.40140134  0.25000000  1.0
  Bi  Bi14  1  0.60823006  0.60823006  0.25000000  1.0
  Te  Te15  1  0.38979721  0.38979721  0.75000000  1.0

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