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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

V9Ga4Tc2Os

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3269544 · 空间群: Pm (#6)

基础信息

化学式
V9Ga4Tc2Os
MP-ID
mp-3269544
元素数
4
位点数
16
密度
8.6644
g/cm³
体积
215.34
ų
晶胞参数 a
4.7304
Å
晶胞参数 b
4.7395
Å
晶胞参数 c
9.6049
Å
α 角
89.92
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.37645
eV/atom
能量/原子
-17.71969
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-17.7197
eV/atom
体积/原子
13.46
ų
c/a 比
2.0305

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0057
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000030
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.563
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.438
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1034
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.1739
J/mol·K
Ω 参数
7.3115
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
0.369%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1563
越小混合越稳定
VEC
4.688
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-2.276
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7960
固溶体倾向
1
相趋势
SS

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3269544
参考引用

The crystal structure and related material properties of V9Ga4Tc2Os were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3269544, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V9Ga4Tc2Os
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.73039599
_cell_length_b   4.73947186
_cell_length_c   9.60492619
_cell_angle_alpha   89.92384017
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V9Ga4Tc2Os
_chemical_formula_sum   'V9 Ga4 Tc2 Os1'
_cell_volume   215.33820781
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.50000000  0.75137432  0.49666545  1.0
  V  V1  1  0.74849905  0.99965611  0.25301009  1.0
  V  V2  1  0.75022282  0.99906767  0.75060146  1.0
  V  V3  1  0.00000000  0.50488600  0.12165570  1.0
  V  V4  1  0.00000000  0.49678872  0.62979854  1.0
  V  V5  1  0.50000000  0.25015334  0.99931794  1.0
  V  V6  1  0.50000000  0.24499280  0.49736394  1.0
  V  V7  1  0.25150095  0.99965611  0.25301009  1.0
  V  V8  1  0.24977718  0.99906767  0.75060146  1.0
  Ga  Ga9  1  0.50000000  0.49701751  0.24729600  1.0
  Ga  Ga10  1  0.50000000  0.49719232  0.74519480  1.0
  Ga  Ga11  1  0.00000000  0.00635297  0.00399862  1.0
  Ga  Ga12  1  0.00000000  0.99845042  0.50432296  1.0
  Tc  Tc13  1  0.00000000  0.50233416  0.87431563  1.0
  Tc  Tc14  1  0.50000000  0.75401646  0.99953911  1.0
  Os  Os15  1  0.00000000  0.49899040  0.37330720  1.0
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