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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Hf10GaSiSb4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3269760 · 空间群: I422 (#97)

基础信息

化学式
Hf10GaSiSb4
MP-ID
mp-3269760
元素数
4
位点数
16
密度
12.1165
g/cm³
体积
324.77
ų
晶胞参数 a
5.4722
Å
晶胞参数 b
8.1753
Å
晶胞参数 c
8.1753
Å
α 角
83.57
°
β 角
70.45
°
γ 角
70.45
°
空间群
I422
点群
422
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tI
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.63231
eV/atom
能量/原子
-36.54205
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-36.5421
eV/atom
体积/原子
20.30
ų
c/a 比
1.4940

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0093
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000030
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Hf · 0.625
元素家族
5d-TM
溶质分数
0.375
间隙分数
0.063
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9869
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.2051
J/mol·K
Ω 参数
0.6231
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
7.735%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3367
越小混合越稳定
VEC
4.188
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-25.238
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7119
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3269760
参考引用

The crystal structure and related material properties of Hf10GaSiSb4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3269760, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Hf10GaSiSb4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   5.47218094
_cell_length_b   8.17527166
_cell_length_c   8.17527035
_cell_angle_alpha   83.56880328
_cell_angle_beta   70.44699750
_cell_angle_gamma   70.44698431
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Hf10GaSiSb4
_chemical_formula_sum   'Hf10 Ga1 Si1 Sb4'
_cell_volume   324.76773667
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Hf  Hf0  1  0.07723897  0.13761515  0.71397470  1.0
  Hf  Hf1  1  0.92883082  0.86238485  0.28602530  1.0
  Hf  Hf2  1  0.79121367  0.28602530  0.13761515  1.0
  Hf  Hf3  1  0.42276103  0.28602530  0.86238485  1.0
  Hf  Hf4  1  0.21485512  0.71397470  0.86238485  1.0
  Hf  Hf5  1  0.57116918  0.71397470  0.13761515  1.0
  Hf  Hf6  1  0.70878633  0.86238485  0.71397470  1.0
  Hf  Hf7  1  0.28514488  0.13761515  0.28602530  1.0
  Hf  Hf8  1  0.25000000  0.50000000  0.50000000  1.0
  Hf  Hf9  1  0.75000000  0.50000000  0.50000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.75000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Si  Si11  1  0.25000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Sb  Sb12  1  0.16433313  0.50000000  0.17133175  1.0
  Sb  Sb13  1  0.83566687  0.50000000  0.82866825  1.0
  Sb  Sb14  1  0.33566687  0.82866825  0.50000000  1.0
  Sb  Sb15  1  0.66433313  0.17133175  0.50000000  1.0
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