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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

ThInGa3Co

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3270063 · 空间群: Cmcm (#63)

基础信息

化学式
ThInGa3Co
MP-ID
mp-3270063
元素数
4
位点数
12
密度
9.1614
g/cm³
体积
222.93
ų
晶胞参数 a
8.2162
Å
晶胞参数 b
8.2162
Å
晶胞参数 c
6.6331
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
150.14
°
空间群
Cmcm
点群
mmm
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.45063
eV/atom
能量/原子
-24.38669
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-24.3867
eV/atom
体积/原子
18.58
ų
c/a 比
0.8073

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0101
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000050
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.500
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.500
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2425
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.3298
J/mol·K
Ω 参数
5.8393
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
13.685%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1954
越小混合越稳定
VEC
3.833
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-1.539
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8962
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3270063
参考引用

The crystal structure and related material properties of ThInGa3Co were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3270063, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_ThInGa3Co
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.21614922
_cell_length_b   8.21614927
_cell_length_c   6.63311814
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   150.14138337
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   ThInGa3Co
_chemical_formula_sum   'Th2 In2 Ga6 Co2'
_cell_volume   222.92711163
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.37693542  0.62306458  0.75000000  1.0
  Th  Th1  1  0.62306458  0.37693542  0.25000000  1.0
  In  In2  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  In  In3  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Ga  Ga4  1  0.80772435  0.19227565  0.05645014  1.0
  Ga  Ga5  1  0.19227565  0.80772435  0.94354986  1.0
  Ga  Ga6  1  0.19227565  0.80772435  0.55645014  1.0
  Ga  Ga7  1  0.80772435  0.19227565  0.44354986  1.0
  Ga  Ga8  1  0.42001993  0.57998007  0.25000000  1.0
  Ga  Ga9  1  0.57998007  0.42001993  0.75000000  1.0
  Co  Co10  1  0.72636987  0.27363013  0.75000000  1.0
  Co  Co11  1  0.27363013  0.72636987  0.25000000  1.0
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