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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ho3GaSiNi

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3271348 · 空间群: Pnma (#62)

基础信息

化学式
Ho3GaSiNi
MP-ID
mp-3271348
元素数
4
位点数
24
密度
8.2609
g/cm³
体积
523.67
ų
晶胞参数 a
4.0442
Å
晶胞参数 b
11.3119
Å
晶胞参数 c
11.4470
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pnma
点群
mmm
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.73312
eV/atom
能量/原子
-22.54017
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-22.5402
eV/atom
体积/原子
21.82
ų
c/a 比
2.8305

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
Yes
总磁矩
2.5878
μB
磁有序
FM
磁性位点数
12
磁化强度/体积
0.004940
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ho · 0.500
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.500
间隙分数
0.167
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2425
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.3298
J/mol·K
Ω 参数
1.8805
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
16.901%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3232
越小混合越稳定
VEC
8.333
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-8.166
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8962
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3271348
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho3GaSiNi were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3271348, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho3GaSiNi
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.04416602
_cell_length_b   11.31191886
_cell_length_c   11.44697163
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho3GaSiNi
_chemical_formula_sum   'Ho12 Ga4 Si4 Ni4'
_cell_volume   523.66779168
_cell_formula_units_Z   4
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.25000000  0.13231902  0.55308119  1.0
  Ho  Ho1  1  0.25000000  0.36768098  0.05308119  1.0
  Ho  Ho2  1  0.75000000  0.86768098  0.44691881  1.0
  Ho  Ho3  1  0.75000000  0.63231902  0.94691881  1.0
  Ho  Ho4  1  0.25000000  0.79654246  0.72464432  1.0
  Ho  Ho5  1  0.25000000  0.70345754  0.22464432  1.0
  Ho  Ho6  1  0.75000000  0.20345754  0.27535568  1.0
  Ho  Ho7  1  0.75000000  0.29654246  0.77535568  1.0
  Ho  Ho8  1  0.25000000  0.05563034  0.88304965  1.0
  Ho  Ho9  1  0.25000000  0.44436966  0.38304965  1.0
  Ho  Ho10  1  0.75000000  0.94436966  0.11695035  1.0
  Ho  Ho11  1  0.75000000  0.55563034  0.61695035  1.0
  Ga  Ga12  1  0.25000000  0.49277723  0.80629841  1.0
  Ga  Ga13  1  0.25000000  0.00722277  0.30629841  1.0
  Ga  Ga14  1  0.75000000  0.50722277  0.19370159  1.0
  Ga  Ga15  1  0.75000000  0.99277723  0.69370159  1.0
  Si  Si16  1  0.25000000  0.81537361  0.97998264  1.0
  Si  Si17  1  0.25000000  0.68462639  0.47998264  1.0
  Si  Si18  1  0.75000000  0.18462639  0.02001736  1.0
  Si  Si19  1  0.75000000  0.31537361  0.52001736  1.0
  Ni  Ni20  1  0.25000000  0.36961054  0.62310732  1.0
  Ni  Ni21  1  0.25000000  0.13038946  0.12310732  1.0
  Ni  Ni22  1  0.75000000  0.63038946  0.37689268  1.0
  Ni  Ni23  1  0.75000000  0.86961054  0.87689268  1.0
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