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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

V2Si2Tc3Os

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3271595 · 空间群: Pm (#6)

基础信息

化学式
V2Si2Tc3Os
MP-ID
mp-3271595
元素数
4
位点数
24
密度
10.1322
g/cm³
体积
315.79
ų
晶胞参数 a
4.2080
Å
晶胞参数 b
5.9532
Å
晶胞参数 c
12.6056
Å
α 角
90.01
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.58391
eV/atom
能量/原子
-22.65965
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-22.6597
eV/atom
体积/原子
13.16
ų
c/a 比
2.9956

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0008
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tc · 0.375
元素家族
4d-TM
溶质分数
0.625
间隙分数
0.250
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3209
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.9819
J/mol·K
Ω 参数
1.6505
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
5.882%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1690
越小混合越稳定
VEC
5.125
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-15.250
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9528
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3271595
参考引用

The crystal structure and related material properties of V2Si2Tc3Os were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3271595, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V2Si2Tc3Os
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.20804216
_cell_length_b   5.95320137
_cell_length_c   12.60564418
_cell_angle_alpha   90.00521605
_cell_angle_beta   89.99952170
_cell_angle_gamma   89.99971594
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V2Si2Tc3Os
_chemical_formula_sum   'V6 Si6 Tc9 Os3'
_cell_volume   315.78805460
_cell_formula_units_Z   3
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.00000223  0.49993546  0.00425263  1.0
  V  V1  1  0.49989118  0.00015462  0.16710143  1.0
  V  V2  1  0.99989297  0.50023296  0.33306988  1.0
  V  V3  1  0.50000081  0.00185270  0.49764327  1.0
  V  V4  1  0.00010294  0.49462963  0.66185796  1.0
  V  V5  1  0.50011899  0.00247592  0.83626401  1.0
  Si  Si6  1  0.00001154  0.99899311  0.99953244  1.0
  Si  Si7  1  0.49988398  0.50080697  0.16617882  1.0
  Si  Si8  1  0.99989992  0.99911908  0.33361318  1.0
  Si  Si9  1  0.50000704  0.50108292  0.50075098  1.0
  Si  Si10  1  0.00011336  0.99894158  0.66701771  1.0
  Si  Si11  1  0.50013184  0.50122318  0.83289122  1.0
  Tc  Tc12  1  0.50000636  0.25019140  0.99832594  1.0
  Tc  Tc13  1  0.50000701  0.74971582  0.99779036  1.0
  Tc  Tc14  1  0.99989199  0.25006071  0.16608907  1.0
  Tc  Tc15  1  0.99989426  0.75047629  0.16604306  1.0
  Tc  Tc16  1  0.49990413  0.25002246  0.33345393  1.0
  Tc  Tc17  1  0.49989876  0.74982304  0.33377930  1.0
  Tc  Tc18  1  0.00000384  0.24993023  0.50103375  1.0
  Tc  Tc19  1  0.00000180  0.75023451  0.50160330  1.0
  Tc  Tc20  1  0.50009230  0.24993066  0.66829394  1.0
  Os  Os21  1  0.50007697  0.75022774  0.66821713  1.0
  Os  Os22  1  0.00008396  0.25009710  0.83297021  1.0
  Os  Os23  1  0.00008380  0.74984989  0.83222746  1.0
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