TaNb2V3Ga5
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3272739 · 空间群: Ama2 (#40)
基础信息
化学式
TaNb2V3Ga5
MP-ID
mp-3272739
元素数
4
位点数
22
密度
8.4836
g/cm³
体积
339.87
ų
晶胞参数 a
8.6766
Å
晶胞参数 b
8.6684
Å
晶胞参数 c
5.2196
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.03
°
空间群
Ama2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 11.78 | 7.5118 | 24.1 | (1,0,-1,0) |
| 11.79 | 7.5047 | 10.4 | (0,1,-1,0) |
| 20.47 | 4.3383 | 4.9 | (2,-1,-1,0) |
| 20.72 | 4.2864 | 1.8 | (1,-1,0,1) |
| 20.72 | 4.2864 | 1.8 | (1,0,-1,1) |
| 20.73 | 4.2851 | 8.2 | (0,1,-1,1) |
| 23.69 | 3.7559 | 5.4 | (2,0,-2,0) |
| 23.71 | 3.7524 | 1.6 | (0,2,-2,0) |
| 26.74 | 3.3345 | 7.7 | (1,1,-2,1) |
| 29.30 | 3.0486 | 15.0 | (2,0,-2,1) |
| 29.31 | 3.0468 | 8.9 | (0,2,-2,1) |
| 31.50 | 2.8399 | 4.7 | (3,-1,-2,0) |
| 31.52 | 2.8380 | 6.9 | (2,1,-3,0) |
| 31.54 | 2.8369 | 5.4 | (1,2,-3,0) |
| 34.36 | 2.6098 | 30.3 | (0,0,0,2) |
| 35.86 | 2.5039 | 3.9 | (3,0,-3,0) |
| 35.90 | 2.5016 | 5.1 | (0,3,-3,0) |
| 36.00 | 2.4946 | 24.0 | (3,-1,-2,1) |
| 36.02 | 2.4933 | 40.6 | (2,1,-3,1) |
| 36.03 | 2.4925 | 23.5 | (1,2,-3,1) |
| 36.45 | 2.4653 | 2.9 | (1,0,-1,2) |
| 39.93 | 2.2576 | 41.3 | (3,0,-3,1) |
| 39.97 | 2.2559 | 19.2 | (0,3,-3,1) |
| 40.33 | 2.2363 | 3.9 | (2,-1,-1,2) |
能量属性
形成能/原子
-0.36267
eV/atom
能量/原子
-18.32109
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-18.3211
eV/atom
体积/原子
15.45
ų
c/a 比
0.6016
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0062
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000020
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.455
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.545
间隙分数
0.000
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2407
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
10.3150
J/mol·K
Ω 参数
7.3758
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
3.690%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1107
越小混合越稳定
VEC
4.091
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
2.143
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8950
固溶体倾向
1
相趋势
SS
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3272739
参考引用
The crystal structure and related material properties of TaNb2V3Ga5 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3272739, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_TaNb2V3Ga5
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 8.67655449
_cell_length_b 8.66841187
_cell_length_c 5.21959146
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 120.03108183
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural TaNb2V3Ga5
_chemical_formula_sum 'Ta2 Nb4 V6 Ga10'
_cell_volume 339.87394575
_cell_formula_units_Z 2
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ta Ta0 1 0.69237485 0.84738232 0.25000000 1.0
Ta Ta1 1 0.84499054 0.15261768 0.75000000 1.0
Nb Nb2 1 0.15401241 0.84719066 0.25000000 1.0
Nb Nb3 1 0.84612697 0.69329920 0.75000000 1.0
Nb Nb4 1 0.30681975 0.15280934 0.75000000 1.0
Nb Nb5 1 0.15282977 0.30670080 0.25000000 1.0
V V6 1 0.50138512 1.00000000 0.00000000 1.0
V V7 1 0.99944964 0.49909255 0.99939337 1.0
V V8 1 0.50138512 1.00000000 0.50000000 1.0
V V9 1 0.50035709 0.50090745 0.00060663 1.0
V V10 1 0.99944964 0.49909255 0.50060663 1.0
V V11 1 0.50035709 0.50090745 0.49939337 1.0
Ga Ga12 1 0.99982315 1.00000000 0.00000000 1.0
Ga Ga13 1 0.78523476 0.21491253 0.25000000 1.0
Ga Ga14 1 0.21457353 0.42897769 0.75000000 1.0
Ga Ga15 1 0.57032224 0.78508747 0.75000000 1.0
Ga Ga16 1 0.78559583 0.57102231 0.25000000 1.0
Ga Ga17 1 0.99982315 1.00000000 0.50000000 1.0
Ga Ga18 1 0.43024472 0.21496130 0.25000000 1.0
Ga Ga19 1 0.21528342 0.78503870 0.75000000 1.0
Ga Ga20 1 0.66639759 0.33323596 0.75000000 1.0
Ga Ga21 1 0.33316163 0.66676404 0.25000000 1.0
