导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ho6GaTc15O

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3273283 · 空间群: Fmm2 (#42)

基础信息

化学式
Ho6GaTc15O
MP-ID
mp-3273283
元素数
4
位点数
23
密度
10.7601
g/cm³
体积
392.80
ų
晶胞参数 a
8.0185
Å
晶胞参数 b
8.0185
Å
晶胞参数 c
7.9650
Å
α 角
110.00
°
β 角
110.00
°
γ 角
108.69
°
空间群
Fmm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oF
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
13.53 6.5452 1.3 (1,0,-1)
13.59 6.5152 1.3 (1,-1,0)
23.42 3.7979 1.4 (2,0,-1)
23.78 3.7417 1.1 (1,0,-2)
23.78 3.7417 1.1 (1,0,1)
27.25 3.2726 2.4 (2,0,-2)
27.25 3.2726 2.4 (2,0,0)
27.38 3.2576 2.0 (2,-2,0)
27.66 3.2246 1.4 (0,0,2)
30.29 2.9504 10.2 (2,1,-2)
30.29 2.9504 10.2 (2,1,-1)
30.75 2.9077 13.9 (2,-2,1)
30.79 2.9044 20.4 (2,-1,-2)
30.94 2.8900 10.7 (1,-1,2)
33.53 2.6726 87.3 (3,-1,-1)
33.77 2.6543 41.2 (1,1,-3)
33.77 2.6543 41.2 (1,1,1)
36.15 2.4845 32.6 (3,0,-2)
36.27 2.4771 38.6 (2,1,-3)
36.39 2.4690 26.5 (3,-1,-2)
36.46 2.4641 28.8 (3,-2,-1)
36.56 2.4581 7.6 (2,0,-3)
36.56 2.4581 22.9 (0,2,-3)
36.80 2.4427 22.6 (1,0,-3)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.52100
eV/atom
能量/原子
-26.78941
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-26.7894
eV/atom
体积/原子
17.08
ų
c/a 比
0.9933

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0005
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tc · 0.652
元素家族
4d-TM
溶质分数
0.348
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9020
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
7.4989
J/mol·K
Ω 参数
0.0000
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
17.379%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.4562
越小混合越稳定
VEC
6.435
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
0.000
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.6506
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3273283
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho6GaTc15O were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3273283, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho6GaTc15O
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.01848808
_cell_length_b   8.01848809
_cell_length_c   7.96495360
_cell_angle_alpha   110.00448917
_cell_angle_beta   110.00449333
_cell_angle_gamma   108.68593366
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho6GaTc15O
_chemical_formula_sum   'Ho6 Ga1 Tc15 O1'
_cell_volume   392.80086573
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.74124645  0.74124645  0.00101014  1.0
  Ho  Ho1  1  0.26765041  0.00338603  0.27103744  1.0
  Ho  Ho2  1  0.73631412  0.99963800  0.73595212  1.0
  Ho  Ho3  1  0.99963800  0.73631412  0.73595312  1.0
  Ho  Ho4  1  0.00338603  0.26765041  0.27103744  1.0
  Ho  Ho5  1  0.25976269  0.25976269  0.00101014  1.0
  Ga  Ga6  1  0.34543066  0.34543066  0.69086132  1.0
  Tc  Tc7  1  0.00118112  0.50118112  0.00236323  1.0
  Tc  Tc8  1  0.50118112  0.00118112  0.00236323  1.0
  Tc  Tc9  1  0.99880593  0.99880593  0.50625624  1.0
  Tc  Tc10  1  0.50745031  0.50745031  0.50625624  1.0
  Tc  Tc11  1  0.65441568  0.65441568  0.30883135  1.0
  Tc  Tc12  1  0.99776572  0.33706114  0.65698928  1.0
  Tc  Tc13  1  0.31992814  0.65922355  0.65698928  1.0
  Tc  Tc14  1  0.65922355  0.31992814  0.65698928  1.0
  Tc  Tc15  1  0.33706114  0.99776572  0.65698928  1.0
  Tc  Tc16  1  0.65758287  0.33572391  0.99330678  1.0
  Tc  Tc17  1  0.33572391  0.65758287  0.99330678  1.0
  Tc  Tc18  1  0.34124621  0.68136797  0.33718066  1.0
  Tc  Tc19  1  0.99593444  0.65581268  0.33718066  1.0
  Tc  Tc20  1  0.65581268  0.99593444  0.33718066  1.0
  Tc  Tc21  1  0.68136797  0.34124621  0.33718066  1.0
  O  O22  1  0.00188785  0.00188785  0.00377670  1.0
获取直接链接