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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

V3Si2Tc6Mo

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3275357 · 空间群: Pmmn (#59)

基础信息

化学式
V3Si2Tc6Mo
MP-ID
mp-3275357
元素数
4
位点数
24
密度
9.0848
g/cm³
体积
326.43
ų
晶胞参数 a
4.2538
Å
晶胞参数 b
6.0262
Å
晶胞参数 c
12.7341
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pmmn
点群
mmm
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oP
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
6.94 12.7341 10.0 (0,0,1)
16.27 5.4470 1.4 (0,1,1)
20.29 4.3767 2.0 (0,1,2)
26.59 3.3526 2.0 (1,1,1)
26.59 3.3526 2.0 (1,1,-1)
29.65 3.0131 14.5 (0,2,0)
29.73 3.0047 14.5 (1,0,3)
29.73 3.0046 14.5 (1,0,-3)
30.49 2.9321 1.1 (0,2,1)
31.79 2.8149 1.2 (0,1,4)
35.24 2.5468 1.2 (0,0,5)
42.49 2.1276 100.0 (1,2,3)
42.49 2.1276 100.0 (1,2,-3)
42.50 2.1269 50.1 (2,0,0)
42.60 2.1224 49.2 (0,0,6)
52.68 1.7376 6.0 (2,2,0)
52.76 1.7351 6.1 (0,2,6)
61.56 1.5066 16.0 (0,4,0)
61.75 1.5024 15.7 (2,0,6)
61.75 1.5023 15.7 (2,0,-6)
69.84 1.3467 2.6 (1,4,3)
69.84 1.3467 2.6 (1,4,-3)
69.95 1.3449 1.3 (3,0,3)
69.95 1.3449 1.3 (3,0,-3)
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能量属性

形成能/原子
-0.46980
eV/atom
能量/原子
-20.60949
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-20.6095
eV/atom
体积/原子
13.60
ų
c/a 比
2.9936

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0068
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000020
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tc · 0.500
元素家族
4d-TM
溶质分数
0.500
间隙分数
0.167
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1988
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.9672
J/mol·K
Ω 参数
2.4827
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
5.195%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1475
越小混合越稳定
VEC
4.917
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-9.167
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8648
固溶体倾向
1
相趋势
SS

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3275357
参考引用

The crystal structure and related material properties of V3Si2Tc6Mo were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3275357, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V3Si2Tc6Mo
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.25378883
_cell_length_b   6.02618246
_cell_length_c   12.73407192
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   89.99879226
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V3Si2Tc6Mo
_chemical_formula_sum   'V6 Si4 Tc12 Mo2'
_cell_volume   326.42657044
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.99998591  0.50000000  0.99371849  1.0
  V  V1  1  0.49994510  0.00000000  0.17288712  1.0
  V  V2  1  0.99993941  0.50000000  0.34205086  1.0
  V  V3  1  0.50000328  0.00000000  0.50273238  1.0
  V  V4  1  0.00007320  0.50000000  0.66407086  1.0
  V  V5  1  0.50005106  0.00000000  0.82464152  1.0
  Si  Si6  1  0.99992234  0.00000000  0.33638842  1.0
  Si  Si7  1  0.50000098  0.50000000  0.50119186  1.0
  Si  Si8  1  0.00007601  0.00000000  0.66549126  1.0
  Si  Si9  1  0.50005213  0.50000000  0.83031310  1.0
  Tc  Tc10  1  0.49999915  0.25327006  0.99805137  1.0
  Tc  Tc11  1  0.49999915  0.74672994  0.99805137  1.0
  Tc  Tc12  1  0.99995289  0.24675655  0.16852514  1.0
  Tc  Tc13  1  0.99995289  0.75324345  0.16852514  1.0
  Tc  Tc14  1  0.49995185  0.24923611  0.33519920  1.0
  Tc  Tc15  1  0.49995185  0.75076389  0.33519920  1.0
  Tc  Tc16  1  0.00000385  0.25097251  0.50087786  1.0
  Tc  Tc17  1  0.00000385  0.74902749  0.50087786  1.0
  Tc  Tc18  1  0.50005309  0.24906762  0.66584532  1.0
  Tc  Tc19  1  0.50005309  0.75093238  0.66584532  1.0
  Tc  Tc20  1  0.00004599  0.25076550  0.83146426  1.0
  Tc  Tc21  1  0.00004599  0.74923450  0.83146426  1.0
  Mo  Mo22  1  0.99999521  0.00000000  0.99786508  1.0
  Mo  Mo23  1  0.49993972  0.50000000  0.16872379  1.0
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