Hf4Nb4GaSi3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3276670 · 空间群: Pm (#6)

Materials Project API

基础信息

化学式

Hf4Nb4GaSi3

MP-ID

mp-3276670

元素数

位点数

密度

9.6002

g/cm³

体积

214.41

Å³

晶胞参数 a

3.5915

晶胞参数 b

7.0186

晶胞参数 c

8.5061

α 角

89.57

β 角

90.00

γ 角

90.00

空间群

点群

晶体系统

Monoclinic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
10.40	8.5059	1.1	(0,0,1)
16.31	5.4333	6.7	(0,1,1)
16.43	5.3938	3.1	(0,1,-1)
20.89	4.2529	2.4	(0,0,2)
24.39	3.6493	11.6	(0,1,2)
24.56	3.6253	8.3	(0,1,-2)
25.38	3.5092	27.9	(0,2,0)
26.95	3.3086	36.4	(1,0,1)
27.42	3.2525	9.3	(0,2,1)
27.57	3.2355	4.4	(0,2,-1)
27.91	3.1972	1.1	(1,1,0)
29.89	2.9894	1.2	(1,1,-1)
32.97	2.7167	7.1	(0,2,2)
33.22	2.6969	6.4	(0,2,-2)
34.01	2.6357	50.2	(0,1,3)
34.20	2.6221	57.6	(0,1,-3)
35.06	2.5598	92.0	(1,1,2)
35.17	2.5514	100.0	(1,1,-2)
35.77	2.5100	96.9	(1,2,0)
37.30	2.4108	55.2	(1,2,1)
37.41	2.4039	52.3	(1,2,-1)
39.89	2.2600	10.1	(0,3,1)
40.05	2.2514	17.4	(0,3,-1)
40.54	2.2254	16.8	(1,0,3)

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能量属性

形成能/原子

-0.67767

eV/atom

能量/原子

-27.11984

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-27.1198

eV/atom

体积/原子

17.87

Å³

c/a 比

2.3684

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0005

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Hf · 0.333

元素家族

5d-TM

溶质分数

0.667

间隙分数

0.250

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.2861

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.6923

J/mol·K

Ω 参数

0.6272

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

11.385%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2369

越小混合越稳定

VEC

4.250

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-37.486

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9277

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaaheldu

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3276670

参考引用

The crystal structure and related material properties of Hf4Nb4GaSi3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3276670, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Hf4Nb4GaSi3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   3.59147146
_cell_length_b   7.01855617
_cell_length_c   8.50609201
_cell_angle_alpha   89.57433163
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Hf4Nb4GaSi3
_chemical_formula_sum   'Hf4 Nb4 Ga1 Si3'
_cell_volume   214.40666889
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Hf  Hf0  1  0.25000000  0.04846782  0.66826210  1.0
  Hf  Hf1  1  0.25000000  0.54647632  0.83585260  1.0
  Hf  Hf2  1  0.75000000  0.45532663  0.15917315  1.0
  Hf  Hf3  1  0.75000000  0.94445468  0.33369968  1.0
  Nb  Nb4  1  0.75000000  0.86859897  0.94004371  1.0
  Nb  Nb5  1  0.25000000  0.63327959  0.44160747  1.0
  Nb  Nb6  1  0.75000000  0.37559353  0.56436710  1.0
  Nb  Nb7  1  0.25000000  0.13060357  0.05758089  1.0
  Ga  Ga8  1  0.25000000  0.24604625  0.35926310  1.0
  Si  Si9  1  0.25000000  0.74928283  0.13931037  1.0
  Si  Si10  1  0.75000000  0.75191094  0.64128236  1.0
  Si  Si11  1  0.75000000  0.24995886  0.85955648  1.0

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