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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ho4Ga3Tc5

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3278078 · 空间群: Amm2 (#38)

基础信息

化学式
Ho4Ga3Tc5
MP-ID
mp-3278078
元素数
3
位点数
12
密度
10.3273
g/cm³
体积
218.50
ų
晶胞参数 a
5.3595
Å
晶胞参数 b
5.3595
Å
晶胞参数 c
8.8981
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
121.26
°
空间群
Amm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.45358
eV/atom
能量/原子
-25.09333
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-25.0933
eV/atom
体积/原子
18.21
ų
c/a 比
1.6602

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tc · 0.417
元素家族
4d-TM
溶质分数
0.583
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0776
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.9588
J/mol·K
Ω 参数
0.0000
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
12.712%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3020
越小混合越稳定
VEC
6.500
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
0.000
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9808
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3278078
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho4Ga3Tc5 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3278078, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho4Ga3Tc5
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   5.35953831
_cell_length_b   5.35953784
_cell_length_c   8.89807144
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   121.25513810
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho4Ga3Tc5
_chemical_formula_sum   'Ho4 Ga3 Tc5'
_cell_volume   218.49843035
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.33396908  0.66603092  0.43203046  1.0
  Ho  Ho1  1  0.66471835  0.33528165  0.56992513  1.0
  Ho  Ho2  1  0.66471835  0.33528165  0.93007487  1.0
  Ho  Ho3  1  0.33396908  0.66603092  0.06796954  1.0
  Ga  Ga4  1  0.00766700  0.99233300  0.50399827  1.0
  Ga  Ga5  1  0.00766700  0.99233300  0.99600173  1.0
  Ga  Ga6  1  0.82837966  0.17162034  0.25000000  1.0
  Tc  Tc7  1  0.80865691  0.65504644  0.25000000  1.0
  Tc  Tc8  1  0.34495356  0.19134309  0.25000000  1.0
  Tc  Tc9  1  0.17489988  0.82510012  0.75000000  1.0
  Tc  Tc10  1  0.17739646  0.34699531  0.75000000  1.0
  Tc  Tc11  1  0.65300469  0.82260354  0.75000000  1.0
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