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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Nb3V3Ga4Sn

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3278837 · 空间群: Ama2 (#40)

基础信息

化学式
Nb3V3Ga4Sn
MP-ID
mp-3278837
元素数
4
位点数
22
密度
7.7844
g/cm³
体积
353.74
ų
晶胞参数 a
8.8065
Å
晶胞参数 b
8.7554
Å
晶胞参数 c
5.2874
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
119.81
°
空间群
Ama2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.33874
eV/atom
能量/原子
-17.33768
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-17.3377
eV/atom
体积/原子
16.08
ų
c/a 比
0.6004

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0087
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000020
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.364
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.636
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2945
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.7628
J/mol·K
Ω 参数
3.5732
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
4.490%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1196
越小混合越稳定
VEC
4.182
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
4.522
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9338
固溶体倾向
1
相趋势
SS

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3278837
参考引用

The crystal structure and related material properties of Nb3V3Ga4Sn were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3278837, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Nb3V3Ga4Sn
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.80644879
_cell_length_b   8.75536205
_cell_length_c   5.28742346
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.80829158
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Nb3V3Ga4Sn
_chemical_formula_sum   'Nb6 V6 Ga8 Sn2'
_cell_volume   353.74097905
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Nb  Nb0  1  0.69085855  0.83813187  0.25000000  1.0
  Nb  Nb1  1  0.83781369  0.14383017  0.75000000  1.0
  Nb  Nb2  1  0.15491536  0.84858030  0.25000000  1.0
  Nb  Nb3  1  0.84508464  0.69366693  0.75000000  1.0
  Nb  Nb4  1  0.30914145  0.14727532  0.75000000  1.0
  Nb  Nb5  1  0.16218631  0.30601548  0.25000000  1.0
  V  V6  1  0.49355637  0.99499868  0.99375269  1.0
  V  V7  1  0.00000000  0.50880301  0.00000000  1.0
  V  V8  1  0.49355637  0.99499868  0.50624731  1.0
  V  V9  1  0.50644363  0.50144331  0.00624731  1.0
  V  V10  1  0.00000000  0.50880301  0.50000000  1.0
  V  V11  1  0.50644363  0.50144331  0.49375269  1.0
  Ga  Ga12  1  1.00000000  0.99962762  0.00000000  1.0
  Ga  Ga13  1  0.57238019  0.78405594  0.75000000  1.0
  Ga  Ga14  1  0.79023253  0.57827653  0.25000000  1.0
  Ga  Ga15  1  1.00000000  0.99962762  0.50000000  1.0
  Ga  Ga16  1  0.42761981  0.21167575  0.25000000  1.0
  Ga  Ga17  1  0.20976747  0.78804400  0.75000000  1.0
  Ga  Ga18  1  0.66534810  0.33441866  0.75000000  1.0
  Ga  Ga19  1  0.33465190  0.66907156  0.25000000  1.0
  Sn  Sn20  1  0.78340982  0.21531054  0.25000000  1.0
  Sn  Sn21  1  0.21659018  0.43190072  0.75000000  1.0
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