V2Si2TcOs3
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3278939 · 空间群: Pm (#6)
基础信息
化学式
V2Si2TcOs3
MP-ID
mp-3278939
元素数
4
位点数
24
密度
13.0847
g/cm³
体积
314.76
ų
晶胞参数 a
4.2054
Å
晶胞参数 b
5.9372
Å
晶胞参数 c
12.6066
Å
α 角
90.02
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mP
稳定性
Yes
堆积分数
-
能量属性
形成能/原子
-0.50565
eV/atom
能量/原子
-29.33653
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-29.3365
eV/atom
体积/原子
13.11
ų
c/a 比
2.9977
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
Yes
总磁矩
2.1577
μB
磁有序
FiM
磁性位点数
5
磁化强度/体积
0.006860
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Os · 0.375
元素家族
5d-TM
溶质分数
0.625
间隙分数
0.250
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3209
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
10.9819
J/mol·K
Ω 参数
1.1860
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
5.882%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2235
越小混合越稳定
VEC
5.875
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-23.250
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9528
固溶体倾向
0
相趋势
IM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3278939
参考引用
The crystal structure and related material properties of V2Si2TcOs3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3278939, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
晶体结构 3D 渲染
加载 3D 结构...
样式: Ball & Stick
|
拖拽旋转 · 滚轮缩放 · 右键平移
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V2Si2TcOs3
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 4.20534940
_cell_length_b 5.93714987
_cell_length_c 12.60655842
_cell_angle_alpha 90.01932172
_cell_angle_beta 89.99973482
_cell_angle_gamma 90.00004854
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural V2Si2TcOs3
_chemical_formula_sum 'V6 Si6 Tc3 Os9'
_cell_volume 314.75788103
_cell_formula_units_Z 3
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
V V0 1 0.99999344 0.49753842 0.00181337 1.0
V V1 1 0.49992389 0.00565543 0.16226563 1.0
V V2 1 0.99991345 0.49600186 0.33002533 1.0
V V3 1 0.49999722 0.00013188 0.49960388 1.0
V V4 1 0.00008557 0.49960986 0.66726857 1.0
V V5 1 0.50007908 0.99998093 0.83913033 1.0
Si Si6 1 0.00000081 0.99989704 0.00067708 1.0
Si Si7 1 0.49993393 0.50055152 0.16570091 1.0
Si Si8 1 0.99992724 0.99915387 0.33340015 1.0
Si Si9 1 0.49999940 0.50067128 0.50064351 1.0
Si Si10 1 0.00007008 0.99908438 0.66604816 1.0
Si Si11 1 0.50007721 0.50080415 0.83353414 1.0
Tc Tc12 1 0.50000140 0.25051883 0.99865306 1.0
Tc Tc13 1 0.50000034 0.75040020 0.99967781 1.0
Tc Tc14 1 0.99995074 0.25032891 0.16822506 1.0
Os Os15 1 0.99994542 0.75072968 0.16826984 1.0
Os Os16 1 0.49994143 0.25063992 0.33482412 1.0
Os Os17 1 0.49993827 0.74960342 0.33382939 1.0
Os Os18 1 0.99999836 0.25038527 0.50030633 1.0
Os Os19 1 0.99999612 0.74915400 0.49955275 1.0
Os Os20 1 0.50005936 0.24891117 0.66655995 1.0
Os Os21 1 0.50005711 0.75023918 0.66647472 1.0
Os Os22 1 0.00005807 0.24919473 0.83146967 1.0
Os Os23 1 0.00005605 0.75082007 0.83204523 1.0