V3Si(Tc3W)2
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3279567 · 空间群: Pmmn (#59)
基础信息
化学式
V3Si(Tc3W)2
MP-ID
mp-3279567
元素数
4
位点数
24
密度
11.1953
g/cm³
体积
337.17
ų
晶胞参数 a
4.3006
Å
晶胞参数 b
6.0883
Å
晶胞参数 c
12.8774
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pmmn
点群
mmm
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oP
稳定性
Yes
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 6.86 | 12.8774 | 33.0 | (0,0,1) |
| 13.75 | 6.4387 | 3.4 | (0,0,2) |
| 16.10 | 5.5041 | 4.1 | (0,1,1) |
| 20.07 | 4.4238 | 8.7 | (0,1,2) |
| 21.79 | 4.0791 | 1.2 | (1,0,-1) |
| 21.79 | 4.0791 | 1.2 | (1,0,1) |
| 24.90 | 3.5762 | 2.8 | (1,0,-2) |
| 24.90 | 3.5762 | 2.8 | (1,0,2) |
| 25.36 | 3.5126 | 16.5 | (1,1,0) |
| 25.39 | 3.5082 | 16.2 | (0,1,3) |
| 26.30 | 3.3888 | 4.6 | (1,1,-1) |
| 26.30 | 3.3888 | 4.6 | (1,1,1) |
| 28.96 | 3.0836 | 1.4 | (1,1,-2) |
| 28.96 | 3.0836 | 1.4 | (1,1,2) |
| 30.17 | 2.9625 | 3.1 | (0,2,1) |
| 31.43 | 2.8460 | 2.6 | (0,1,4) |
| 34.83 | 2.5755 | 2.6 | (0,0,5) |
| 38.85 | 2.3181 | 2.5 | (1,2,-2) |
| 38.85 | 2.3181 | 2.5 | (1,2,2) |
| 42.02 | 2.1504 | 100.0 | (1,2,-3) |
| 42.02 | 2.1504 | 100.0 | (1,2,3) |
| 42.02 | 2.1503 | 50.1 | (2,0,0) |
| 42.10 | 2.1462 | 49.3 | (0,0,6) |
| 43.58 | 2.0770 | 1.4 | (1,1,-5) |
能量属性
形成能/原子
-0.37064
eV/atom
能量/原子
-26.16781
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-26.1678
eV/atom
体积/原子
14.05
ų
c/a 比
2.9944
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0039
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Tc · 0.500
元素家族
4d-TM
溶质分数
0.500
间隙分数
0.083
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1988
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
9.9672
J/mol·K
Ω 参数
4.4936
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
4.003%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2311
越小混合越稳定
VEC
5.083
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-5.583
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8648
固溶体倾向
1
相趋势
SS
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3279567
参考引用
The crystal structure and related material properties of V3Si(Tc3W)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3279567, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V3Si(Tc3W)2
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 4.30055235
_cell_length_b 6.08829656
_cell_length_c 12.87742595
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00052972
_cell_angle_gamma 90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural V3Si(Tc3W)2
_chemical_formula_sum 'V6 Si2 Tc12 W4'
_cell_volume 337.17013404
_cell_formula_units_Z 2
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
V V0 1 0.99997312 0.50000000 0.99295482 1.0
V V1 1 0.49992386 0.00000000 0.16408187 1.0
V V2 1 0.99992935 0.50000000 0.33588923 1.0
V V3 1 0.49997496 0.00000000 0.50704716 1.0
V V4 1 0.00007329 0.50000000 0.67200652 1.0
V V5 1 0.50006561 0.00000000 0.82802638 1.0
Si Si6 1 0.00011442 0.00000000 0.66903651 1.0
Si Si7 1 0.50010469 0.50000000 0.83098891 1.0
Tc Tc8 1 0.49999778 0.25200812 0.99695024 1.0
Tc Tc9 1 0.49999778 0.74799188 0.99695024 1.0
Tc Tc10 1 0.99993633 0.24972783 0.16519517 1.0
Tc Tc11 1 0.99993633 0.75027217 0.16519517 1.0
Tc Tc12 1 0.49993872 0.25028880 0.33478873 1.0
Tc Tc13 1 0.49993872 0.74971120 0.33478873 1.0
Tc Tc14 1 0.00000537 0.24800091 0.50304383 1.0
Tc Tc15 1 0.00000537 0.75199909 0.50304383 1.0
Tc Tc16 1 0.50008049 0.24852517 0.66779789 1.0
Tc Tc17 1 0.50008049 0.75147483 0.66779789 1.0
Tc Tc18 1 0.00008180 0.25147158 0.83222217 1.0
Tc Tc19 1 0.00008180 0.74852842 0.83222217 1.0
W W20 1 0.00000146 0.00000000 0.99672918 1.0
W W21 1 0.49987608 0.50000000 0.16508218 1.0
W W22 1 0.99987935 0.00000000 0.33489105 1.0
W W23 1 0.50000181 0.50000000 0.50327211 1.0
