V6GaSi2Tc3
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3280194 · 空间群: P1 (#1)
基础信息
化学式
V6GaSi2Tc3
MP-ID
mp-3280194
元素数
4
位点数
24
密度
7.6603
g/cm³
体积
314.56
ų
晶胞参数 a
4.7321
Å
晶胞参数 b
4.7013
Å
晶胞参数 c
14.1393
Å
α 角
89.97
°
β 角
89.89
°
γ 角
90.06
°
空间群
P1
点群
1
晶体系统
Triclinic
Bravais 格子
aP
稳定性
Yes
堆积分数
-
能量属性
形成能/原子
-0.56577
eV/atom
能量/原子
-16.51758
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-16.5176
eV/atom
体积/原子
13.11
ų
c/a 比
2.9879
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0008
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.500
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.500
间隙分数
0.167
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1988
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
9.9672
J/mol·K
Ω 参数
1.3118
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
4.943%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1297
越小混合越稳定
VEC
4.667
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-15.237
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8648
固溶体倾向
0
相趋势
IM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3280194
参考引用
The crystal structure and related material properties of V6GaSi2Tc3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3280194, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
晶体结构 3D 渲染
加载 3D 结构...
样式: Ball & Stick
|
拖拽旋转 · 滚轮缩放 · 右键平移
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V6GaSi2Tc3
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 4.73212975
_cell_length_b 4.70129021
_cell_length_c 14.13924889
_cell_angle_alpha 89.96526567
_cell_angle_beta 89.88764755
_cell_angle_gamma 90.06178462
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural V6GaSi2Tc3
_chemical_formula_sum 'V12 Ga2 Si4 Tc6'
_cell_volume 314.55665416
_cell_formula_units_Z 2
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
V V0 1 0.99888000 0.49795851 0.58390786 1.0
V V1 1 0.50064998 0.24532862 0.00014821 1.0
V V2 1 0.50133367 0.24832134 0.33539825 1.0
V V3 1 0.99846731 0.49835541 0.74615083 1.0
V V4 1 0.99884904 0.50049092 0.08274305 1.0
V V5 1 0.00003244 0.50131394 0.42018256 1.0
V V6 1 0.49752404 0.74866701 0.66400291 1.0
V V7 1 0.50055496 0.75643770 0.00016311 1.0
V V8 1 0.50105346 0.75309820 0.33515341 1.0
V V9 1 0.24928480 0.00028092 0.83223519 1.0
V V10 1 0.24935230 0.00015615 0.16682718 1.0
V V11 1 0.24923078 0.99905919 0.50032273 1.0
Ga Ga12 1 0.49581869 0.50226137 0.83247488 1.0
Ga Ga13 1 0.49532335 0.50035531 0.16572647 1.0
Si Si14 1 0.49245675 0.50179766 0.49793725 1.0
Si Si15 1 0.00200523 0.99350893 0.66623214 1.0
Si Si16 1 0.00685623 0.00077734 0.00097982 1.0
Si Si17 1 0.00799128 0.00053150 0.33515750 1.0
Tc Tc18 1 0.00006135 0.50153558 0.91755646 1.0
Tc Tc19 1 0.99966590 0.50044697 0.25353643 1.0
Tc Tc20 1 0.49805065 0.24903062 0.66398587 1.0
Tc Tc21 1 0.75185237 0.00031362 0.83253648 1.0
Tc Tc22 1 0.75281361 0.00054711 0.16725529 1.0
Tc Tc23 1 0.75189180 0.99942809 0.49938610 1.0
