TaNb3(VSi)4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3280802 · 空间群: Pm (#6)

Materials Project API

基础信息

化学式

TaNb3(VSi)4

MP-ID

mp-3280802

元素数

位点数

密度

7.3147

g/cm³

体积

176.11

Å³

晶胞参数 a

6.5566

晶胞参数 b

3.3932

晶胞参数 c

7.9159

α 角

90.00

β 角

90.02

γ 角

90.00

空间群

点群

晶体系统

Monoclinic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.68977

eV/atom

能量/原子

-18.54372

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-18.5437

eV/atom

体积/原子

14.68

Å³

c/a 比

1.2073

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0038

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000020

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

V · 0.333

元素家族

3d-TM

溶质分数

0.667

间隙分数

0.333

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.2861

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.6923

J/mol·K

Ω 参数

0.5643

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

8.991%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.1442

越小混合越稳定

VEC

4.667

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-42.667

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9277

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahergs

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3280802

参考引用

The crystal structure and related material properties of TaNb3(VSi)4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3280802, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_TaNb3(VSi)4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.55660621
_cell_length_b   3.39318434
_cell_length_c   7.91592236
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.02387261
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   TaNb3(VSi)4
_chemical_formula_sum   'Ta1 Nb3 V4 Si4'
_cell_volume   176.11163247
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ta  Ta0  1  0.54639123  0.24999900  0.16796452  1.0
  Nb  Nb1  1  0.04555865  0.24999900  0.33152325  1.0
  Nb  Nb2  1  0.95379312  0.74999900  0.66853180  1.0
  Nb  Nb3  1  0.45416859  0.74999900  0.83290415  1.0
  V  V4  1  0.87025336  0.74999900  0.06133677  1.0
  V  V5  1  0.37154811  0.74999900  0.43840102  1.0
  V  V6  1  0.62899688  0.24999900  0.56002966  1.0
  V  V7  1  0.12945742  0.24999900  0.93941251  1.0
  Si  Si8  1  0.24708087  0.74999900  0.13777794  1.0
  Si  Si9  1  0.74661611  0.74999900  0.36173481  1.0
  Si  Si10  1  0.25317694  0.24999900  0.63772335  1.0
  Si  Si11  1  0.75295971  0.24999900  0.86266022  1.0

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