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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

V5Ga(SiTc2)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3281711 · 空间群: P1 (#1)

基础信息

化学式
V5Ga(SiTc2)2
MP-ID
mp-3281711
元素数
4
位点数
24
密度
8.1103
g/cm³
体积
316.37
ų
晶胞参数 a
4.7121
Å
晶胞参数 b
4.7293
Å
晶胞参数 c
14.1971
Å
α 角
90.23
°
β 角
89.85
°
γ 角
90.14
°
空间群
P1
点群
1
晶体系统
Triclinic
Bravais 格子
aP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.56928
eV/atom
能量/原子
-17.51068
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-17.5107
eV/atom
体积/原子
13.18
ų
c/a 比
3.0129

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0005
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.417
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.583
间隙分数
0.167
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2367
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.2818
J/mol·K
Ω 参数
1.6245
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
4.969%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1290
越小混合越稳定
VEC
4.667
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-12.823
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8921
固溶体倾向
1
相趋势
SS

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3281711
参考引用

The crystal structure and related material properties of V5Ga(SiTc2)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3281711, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V5Ga(SiTc2)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.71205860
_cell_length_b   4.72930956
_cell_length_c   14.19706304
_cell_angle_alpha   90.23486959
_cell_angle_beta   89.85002591
_cell_angle_gamma   90.14082118
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V5Ga(SiTc2)2
_chemical_formula_sum   'V10 Ga2 Si4 Tc8'
_cell_volume   316.37379062
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.75239614  0.99820064  0.49980507  1.0
  V  V1  1  0.99899843  0.50211819  0.74918791  1.0
  V  V2  1  0.00057178  0.50320332  0.08315200  1.0
  V  V3  1  0.00166406  0.50214222  0.41648309  1.0
  V  V4  1  0.49847353  0.74933544  0.66444368  1.0
  V  V5  1  0.49704376  0.75030957  0.00017288  1.0
  V  V6  1  0.49969977  0.74913055  0.33625607  1.0
  V  V7  1  0.24882729  0.99911743  0.83139034  1.0
  V  V8  1  0.24860241  0.99917934  0.16706458  1.0
  V  V9  1  0.25089045  0.99861667  0.49966175  1.0
  Ga  Ga10  1  0.49699932  0.50212189  0.83161032  1.0
  Ga  Ga11  1  0.49809986  0.50242262  0.16672110  1.0
  Si  Si12  1  0.50011606  0.50462176  0.49928705  1.0
  Si  Si13  1  0.00062277  0.99813833  0.66545453  1.0
  Si  Si14  1  0.00038329  0.99950030  0.00034676  1.0
  Si  Si15  1  0.00121779  0.99827558  0.33645859  1.0
  Tc  Tc16  1  0.00029811  0.50324431  0.91819263  1.0
  Tc  Tc17  1  0.00139633  0.50221861  0.25184799  1.0
  Tc  Tc18  1  0.99982871  0.50164746  0.58294142  1.0
  Tc  Tc19  1  0.49822123  0.24616726  0.66424760  1.0
  Tc  Tc20  1  0.49676562  0.24471632  0.00044527  1.0
  Tc  Tc21  1  0.50057996  0.24655812  0.33657196  1.0
  Tc  Tc22  1  0.75396960  0.99940425  0.83146169  1.0
  Tc  Tc23  1  0.75433674  0.99960882  0.16679572  1.0
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