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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ta2V2GaSi

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3282204 · 空间群: P2_1/m (#11)

基础信息

化学式
Ta2V2GaSi
MP-ID
mp-3282204
元素数
4
位点数
12
密度
10.4306
g/cm³
体积
178.81
ų
晶胞参数 a
3.3525
Å
晶胞参数 b
6.6470
Å
晶胞参数 c
8.0246
Å
α 角
90.54
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
P2_1/m
点群
2/m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.49366
eV/atom
能量/原子
-24.75689
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-24.7569
eV/atom
体积/原子
14.90
ų
c/a 比
2.3936

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0013
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ta · 0.333
元素家族
5d-TM
溶质分数
0.667
间隙分数
0.167
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3297
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
11.0548
J/mol·K
Ω 参数
1.0921
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
7.185%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1489
越小混合越稳定
VEC
4.500
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-21.824
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9591
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3282204
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ta2V2GaSi were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3282204, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ta2V2GaSi
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   3.35244640
_cell_length_b   6.64696331
_cell_length_c   8.02456617
_cell_angle_alpha   90.53726877
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ta2V2GaSi
_chemical_formula_sum   'Ta4 V4 Ga2 Si2'
_cell_volume   178.80826684
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ta  Ta0  1  0.25000000  0.54583605  0.16205957  1.0
  Ta  Ta1  1  0.75000000  0.45416395  0.83794043  1.0
  Ta  Ta2  1  0.75000000  0.93868755  0.67253319  1.0
  Ta  Ta3  1  0.25000000  0.06131245  0.32746681  1.0
  V  V4  1  0.25000000  0.62692923  0.56590434  1.0
  V  V5  1  0.75000000  0.37307077  0.43409566  1.0
  V  V6  1  0.75000000  0.87381193  0.06007699  1.0
  V  V7  1  0.25000000  0.12618807  0.93992301  1.0
  Ga  Ga8  1  0.75000000  0.75244496  0.36168542  1.0
  Ga  Ga9  1  0.25000000  0.24755504  0.63831458  1.0
  Si  Si10  1  0.25000000  0.75035951  0.86465958  1.0
  Si  Si11  1  0.75000000  0.24964049  0.13534042  1.0
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