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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Th4CuSi6Os

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3284100 · 空间群: Fmm2 (#42)

基础信息

化学式
Th4CuSi6Os
MP-ID
mp-3284100
元素数
4
位点数
12
密度
9.0994
g/cm³
体积
246.44
ų
晶胞参数 a
8.2466
Å
晶胞参数 b
8.1672
Å
晶胞参数 c
5.9086
Å
α 角
69.62
°
β 角
68.18
°
γ 角
42.19
°
空间群
Fmm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oF
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.76697
eV/atom
能量/原子
-34.96494
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-34.9649
eV/atom
体积/原子
20.54
ų
c/a 比
0.7165

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.3881
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.001570
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.500
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.500
间隙分数
0.500
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1269
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.3693
J/mol·K
Ω 参数
4.8074
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
20.290%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3112
越小混合越稳定
VEC
4.250
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-3.775
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8129
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3284100
参考引用

The crystal structure and related material properties of Th4CuSi6Os were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3284100, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th4CuSi6Os
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.24663088
_cell_length_b   8.16723291
_cell_length_c   5.90857105
_cell_angle_alpha   69.62145184
_cell_angle_beta   68.18477640
_cell_angle_gamma   42.19377371
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th4CuSi6Os
_chemical_formula_sum   'Th4 Cu1 Si6 Os1'
_cell_volume   246.43993521
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.75272636  0.75272636  0.74727364  1.0
  Th  Th1  1  0.74693299  0.24652777  0.75347223  1.0
  Th  Th2  1  0.25272636  0.25272636  0.24727364  1.0
  Th  Th3  1  0.24652777  0.74693299  0.25306701  1.0
  Cu  Cu4  1  0.66558110  0.66558110  0.33441890  1.0
  Si  Si5  1  0.83350926  0.33567604  0.16649074  1.0
  Si  Si6  1  0.66714545  0.16617659  0.33285455  1.0
  Si  Si7  1  0.16617659  0.66714545  0.83382341  1.0
  Si  Si8  1  0.33567604  0.83350926  0.66432396  1.0
  Si  Si9  1  0.16800871  0.16800871  0.83199129  1.0
  Si  Si10  1  0.83043148  0.83043148  0.16956852  1.0
  Os  Os11  1  0.33455790  0.33455790  0.66544210  1.0
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