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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

V6Si6Tc7Os5

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3286833 · 空间群: Pm (#6)

基础信息

化学式
V6Si6Tc7Os5
MP-ID
mp-3286833
元素数
4
位点数
24
密度
11.1166
g/cm³
体积
315.38
ų
晶胞参数 a
4.2193
Å
晶胞参数 b
5.9303
Å
晶胞参数 c
12.6042
Å
α 角
90.04
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.56873
eV/atom
能量/原子
-24.89618
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-24.8962
eV/atom
体积/原子
13.14
ų
c/a 比
2.9873

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0036
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tc · 0.292
元素家族
4d-TM
溶质分数
0.708
间隙分数
0.250
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3793
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
11.4676
J/mol·K
Ω 参数
1.5137
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
5.882%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1922
越小混合越稳定
VEC
5.375
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-17.917
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9950
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3286833
参考引用

The crystal structure and related material properties of V6Si6Tc7Os5 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3286833, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V6Si6Tc7Os5
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.21927951
_cell_length_b   5.93032473
_cell_length_c   12.60416973
_cell_angle_alpha   90.03792808
_cell_angle_beta   90.00014460
_cell_angle_gamma   89.99999341
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V6Si6Tc7Os5
_chemical_formula_sum   'V6 Si6 Tc7 Os5'
_cell_volume   315.37765504
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.00000058  0.49975991  0.00476414  1.0
  V  V1  1  0.49996639  0.99994925  0.16708941  1.0
  V  V2  1  0.99997062  0.49856827  0.33054580  1.0
  V  V3  1  0.49999731  0.00598224  0.49395445  1.0
  V  V4  1  0.00003398  0.49467666  0.66293461  1.0
  V  V5  1  0.50003052  0.00020246  0.84047902  1.0
  Si  Si6  1  0.00000319  0.99870034  0.99990204  1.0
  Si  Si7  1  0.49996613  0.50114143  0.16681962  1.0
  Si  Si8  1  0.99996895  0.99939360  0.33322453  1.0
  Si  Si9  1  0.50000163  0.50186710  0.50049376  1.0
  Si  Si10  1  0.00003151  0.99800604  0.66687183  1.0
  Si  Si11  1  0.50003174  0.50114291  0.83274007  1.0
  Tc  Tc12  1  0.49999968  0.24949091  0.99737639  1.0
  Tc  Tc13  1  0.50000331  0.74841929  0.99700914  1.0
  Tc  Tc14  1  0.99997201  0.25060700  0.16602354  1.0
  Tc  Tc15  1  0.99997408  0.75074404  0.16622929  1.0
  Tc  Tc16  1  0.49997498  0.25017300  0.33505949  1.0
  Tc  Tc17  1  0.49997466  0.74980899  0.33556338  1.0
  Tc  Tc18  1  0.99999739  0.25068742  0.50298326  1.0
  Os  Os19  1  0.00000065  0.75142732  0.50265190  1.0
  Os  Os20  1  0.50002427  0.24956690  0.66838490  1.0
  Os  Os21  1  0.50002951  0.74964581  0.66713502  1.0
  Os  Os22  1  0.00002339  0.25000391  0.83142480  1.0
  Os  Os23  1  0.00002754  0.75003922  0.83033961  1.0
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