HoTh3(GaRu)4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3287783 · 空间群: Pm (#6)

Materials Project API

基础信息

化学式

HoTh3(GaRu)4

MP-ID

mp-3287783

元素数

位点数

密度

10.8744

g/cm³

体积

235.81

Å³

晶胞参数 a

4.0886

晶胞参数 b

7.0093

晶胞参数 c

8.2282

α 角

90.18

β 角

90.00

γ 角

90.00

空间群

点群

晶体系统

Monoclinic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.65783

eV/atom

能量/原子

-34.05587

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-34.0559

eV/atom

体积/原子

19.65

Å³

c/a 比

2.0125

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0007

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ga · 0.333

元素家族

PostTransition-Noble

溶质分数

0.667

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.2861

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.6923

J/mol·K

Ω 参数

19.6990

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

14.004%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3764

越小混合越稳定

VEC

5.083

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-0.892

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.9277

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahfbpf

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3287783

参考引用

The crystal structure and related material properties of HoTh3(GaRu)4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3287783, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_HoTh3(GaRu)4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.08862872
_cell_length_b   7.00929041
_cell_length_c   8.22818750
_cell_angle_alpha   90.18328861
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   HoTh3(GaRu)4
_chemical_formula_sum   'Ho1 Th3 Ga4 Ru4'
_cell_volume   235.80536749
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.75000000  0.53853226  0.81222762  1.0
  Th  Th1  1  0.25000000  0.96673347  0.31209909  1.0
  Th  Th2  1  0.25000000  0.46598354  0.18288532  1.0
  Th  Th3  1  0.75000000  0.03651134  0.68958715  1.0
  Ga  Ga4  1  0.25000000  0.37197200  0.56636170  1.0
  Ga  Ga5  1  0.25000000  0.84887438  0.93682920  1.0
  Ga  Ga6  1  0.75000000  0.63551820  0.44619911  1.0
  Ga  Ga7  1  0.75000000  0.13920483  0.05685549  1.0
  Ru  Ru8  1  0.25000000  0.23465079  0.87243918  1.0
  Ru  Ru9  1  0.25000000  0.74913121  0.62392692  1.0
  Ru  Ru10  1  0.75000000  0.75509041  0.12935137  1.0
  Ru  Ru11  1  0.75000000  0.25779457  0.37123785  1.0

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