Ho4Ga16TcNi2
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3288132 · 空间群: P4/mmm (#123)
基础信息
化学式
Ho4Ga16TcNi2
MP-ID
mp-3288132
元素数
4
位点数
23
密度
8.2881
g/cm³
体积
398.84
ų
晶胞参数 a
6.0254
Å
晶胞参数 b
6.0254
Å
晶胞参数 c
10.9855
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
P4/mmm
点群
4/mmm
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tP
稳定性
Yes
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 8.05 | 10.9855 | 7.1 | (0,0,1) |
| 16.14 | 5.4928 | 2.7 | (0,0,2) |
| 20.85 | 4.2606 | 17.1 | (1,1,0) |
| 22.38 | 3.9723 | 1.9 | (1,1,1) |
| 26.48 | 3.3666 | 6.8 | (1,1,2) |
| 28.52 | 3.1293 | 1.0 | (1,0,3) |
| 29.65 | 3.0127 | 5.7 | (2,0,0) |
| 30.77 | 2.9054 | 18.8 | (2,0,1) |
| 32.23 | 2.7771 | 34.7 | (1,1,3) |
| 33.25 | 2.6947 | 2.2 | (2,1,0) |
| 33.94 | 2.6415 | 52.8 | (2,0,2) |
| 34.26 | 2.6171 | 2.5 | (2,1,1) |
| 35.94 | 2.4990 | 1.0 | (1,0,4) |
| 37.16 | 2.4192 | 2.2 | (2,1,2) |
| 38.70 | 2.3265 | 100.0 | (2,0,3) |
| 41.08 | 2.1971 | 29.9 | (0,0,5) |
| 41.61 | 2.1704 | 4.5 | (2,1,3) |
| 42.43 | 2.1303 | 79.6 | (2,2,0) |
| 44.65 | 2.0296 | 22.1 | (2,0,4) |
| 45.14 | 2.0085 | 1.6 | (3,0,0) |
| 45.68 | 1.9862 | 1.7 | (2,2,2) |
| 45.93 | 1.9757 | 2.1 | (3,0,1) |
| 47.26 | 1.9234 | 3.6 | (2,1,4) |
| 47.73 | 1.9054 | 5.4 | (3,1,0) |
能量属性
形成能/原子
-0.55474
eV/atom
能量/原子
-16.40422
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-16.4042
eV/atom
体积/原子
17.34
ų
c/a 比
1.8232
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0028
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.696
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.304
间隙分数
0.000
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9054
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
7.5272
J/mol·K
Ω 参数
1.1949
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
11.276%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2279
越小混合越稳定
VEC
5.087
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-4.839
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.6531
固溶体倾向
0
相趋势
IM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3288132
参考引用
The crystal structure and related material properties of Ho4Ga16TcNi2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3288132, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho4Ga16TcNi2
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 6.02541736
_cell_length_b 6.02541736
_cell_length_c 10.98550314
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Ho4Ga16TcNi2
_chemical_formula_sum 'Ho4 Ga16 Tc1 Ni2'
_cell_volume 398.83587991
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ho Ho0 1 0.50000000 0.00000000 0.80667193 1.0
Ho Ho1 1 0.00000000 0.50000000 0.80667193 1.0
Ho Ho2 1 0.50000000 0.00000000 0.19332807 1.0
Ho Ho3 1 0.00000000 0.50000000 0.19332807 1.0
Ga Ga4 1 0.25140121 0.25140121 0.61650008 1.0
Ga Ga5 1 0.74859879 0.74859879 0.61650008 1.0
Ga Ga6 1 0.74859879 0.25140121 0.61650008 1.0
Ga Ga7 1 0.25140121 0.74859879 0.61650008 1.0
Ga Ga8 1 0.74859879 0.74859879 0.38349992 1.0
Ga Ga9 1 0.25140121 0.25140121 0.38349992 1.0
Ga Ga10 1 0.25140121 0.74859879 0.38349992 1.0
Ga Ga11 1 0.74859879 0.25140121 0.38349992 1.0
Ga Ga12 1 0.28831701 0.28831701 0.00000000 1.0
Ga Ga13 1 0.71168299 0.71168299 0.00000000 1.0
Ga Ga14 1 0.71168299 0.28831701 0.00000000 1.0
Ga Ga15 1 0.28831701 0.71168299 0.00000000 1.0
Ga Ga16 1 0.50000000 0.50000000 0.80288933 1.0
Ga Ga17 1 0.50000000 0.50000000 0.19711067 1.0
Ga Ga18 1 0.00000000 0.00000000 0.77147771 1.0
Ga Ga19 1 0.00000000 0.00000000 0.22852229 1.0
Tc Tc20 1 0.00000000 0.00000000 0.00000000 1.0
Ni Ni21 1 0.50000000 0.00000000 0.50000000 1.0
Ni Ni22 1 0.00000000 0.50000000 0.50000000 1.0
