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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ho2GaRe2Os

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3288439 · 空间群: Amm2 (#38)

基础信息

化学式
Ho2GaRe2Os
MP-ID
mp-3288439
元素数
4
位点数
12
密度
14.6148
g/cm³
体积
218.66
ų
晶胞参数 a
5.3298
Å
晶胞参数 b
5.3629
Å
晶胞参数 c
8.8519
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.21
°
空间群
Amm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
9.99 8.8519 42.1 (0,0,1)
19.15 4.6347 11.0 (1,-1,0)
19.15 4.6347 11.0 (0,1,0)
19.27 4.6061 13.7 (1,0,0)
21.64 4.1060 9.8 (1,-1,1)
21.75 4.0860 3.5 (1,0,1)
27.96 3.1914 4.1 (1,0,2)
30.29 2.9506 4.3 (0,0,3)
33.42 2.6814 42.2 (1,-2,0)
33.63 2.6648 24.7 (2,-1,0)
33.63 2.6648 24.7 (1,1,0)
34.96 2.5663 4.7 (1,-2,1)
36.09 2.4890 62.1 (1,-1,3)
36.09 2.4890 62.1 (0,1,3)
36.15 2.4846 38.7 (1,0,3)
38.86 2.3174 5.7 (2,-2,0)
38.86 2.3174 5.7 (0,2,0)
39.11 2.3031 10.9 (2,0,0)
39.29 2.2934 69.3 (1,-2,2)
39.47 2.2829 100.0 (2,-1,2)
39.47 2.2829 100.0 (1,1,2)
40.23 2.2418 66.6 (2,-2,1)
40.23 2.2418 66.6 (0,2,1)
40.47 2.2288 55.6 (2,0,1)
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能量属性

形成能/原子
-0.47172
eV/atom
能量/原子
-39.64038
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-39.6404
eV/atom
体积/原子
18.22
ų
c/a 比
1.6608

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0020
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ho · 0.333
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.667
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.3297
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
11.0548
J/mol·K
Ω 参数
12.4987
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
12.351%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3613
越小混合越稳定
VEC
7.833
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-2.063
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9591
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3288439
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho2GaRe2Os were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3288439, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho2GaRe2Os
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   5.32974669
_cell_length_b   5.36287054
_cell_length_c   8.85185945
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.20582492
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho2GaRe2Os
_chemical_formula_sum   'Ho4 Ga2 Re4 Os2'
_cell_volume   218.65758258
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.34390621  0.67195311  0.44374502  1.0
  Ho  Ho1  1  0.67118378  0.33559089  0.56450529  1.0
  Ho  Ho2  1  0.67118378  0.33559089  0.93549471  1.0
  Ho  Ho3  1  0.34390621  0.67195311  0.05625498  1.0
  Ga  Ga4  1  0.80998332  0.16148910  0.25000000  1.0
  Ga  Ga5  1  0.80998332  0.64849422  0.25000000  1.0
  Re  Re6  1  0.31213775  0.15606938  0.25000000  1.0
  Re  Re7  1  0.16914294  0.83077108  0.75000000  1.0
  Re  Re8  1  0.16914294  0.33837186  0.75000000  1.0
  Re  Re9  1  0.65447775  0.82723838  0.75000000  1.0
  Os  Os10  1  0.02247699  0.01123850  0.49325196  1.0
  Os  Os11  1  0.02247699  0.01123850  0.00674804  1.0
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