导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Nb4V4GaGe3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3289535 · 空间群: Pm (#6)

基础信息

化学式
Nb4V4GaGe3
MP-ID
mp-3289535
元素数
4
位点数
12
密度
7.7489
g/cm³
体积
184.94
ų
晶胞参数 a
3.4304
Å
晶胞参数 b
6.6597
Å
晶胞参数 c
8.0955
Å
α 角
90.12
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.49322
eV/atom
能量/原子
-17.85600
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-17.8560
eV/atom
体积/原子
15.41
ų
c/a 比
2.3600

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0000
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Nb · 0.333
元素家族
4d-TM
溶质分数
0.667
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2861
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.6923
J/mol·K
Ω 参数
4.2799
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
5.934%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1706
越小混合越稳定
VEC
4.583
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-4.928
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9277
固溶体倾向
1
相趋势
SS

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3289535
参考引用

The crystal structure and related material properties of Nb4V4GaGe3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3289535, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Nb4V4GaGe3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   3.43035175
_cell_length_b   6.65972305
_cell_length_c   8.09551031
_cell_angle_alpha   90.12492696
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Nb4V4GaGe3
_chemical_formula_sum   'Nb4 V4 Ga1 Ge3'
_cell_volume   184.94305286
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Nb  Nb0  1  0.25000000  0.05533679  0.83028949  1.0
  Nb  Nb1  1  0.25000000  0.55181000  0.66760560  1.0
  Nb  Nb2  1  0.75000000  0.94621703  0.16985191  1.0
  Nb  Nb3  1  0.75000000  0.44778474  0.33061081  1.0
  V  V4  1  0.25000000  0.12684808  0.43818765  1.0
  V  V5  1  0.25000000  0.62519432  0.06283711  1.0
  V  V6  1  0.75000000  0.87376439  0.56130279  1.0
  V  V7  1  0.75000000  0.37261635  0.93892182  1.0
  Ga  Ga8  1  0.75000000  0.75240890  0.86302814  1.0
  Ge  Ge9  1  0.25000000  0.74866739  0.36386436  1.0
  Ge  Ge10  1  0.25000000  0.24744332  0.13680896  1.0
  Ge  Ge11  1  0.75000000  0.25190670  0.63669136  1.0
获取直接链接