Ho4Ga16TcIr2
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3290097 · 空间群: P4/mmm (#123)
基础信息
化学式
Ho4Ga16TcIr2
MP-ID
mp-3290097
元素数
4
位点数
23
密度
9.0870
g/cm³
体积
412.57
ų
晶胞参数 a
6.1028
Å
晶胞参数 b
6.1028
Å
晶胞参数 c
11.0775
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
P4/mmm
点群
4/mmm
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tP
稳定性
Yes
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 7.98 | 11.0775 | 3.5 | (0,0,1) |
| 20.58 | 4.3153 | 31.7 | (1,1,0) |
| 22.11 | 4.0210 | 15.9 | (1,1,1) |
| 24.10 | 3.6925 | 4.1 | (0,0,3) |
| 29.27 | 3.0514 | 11.7 | (2,0,0) |
| 30.38 | 2.9418 | 2.5 | (2,0,1) |
| 31.90 | 2.8056 | 44.7 | (1,1,3) |
| 32.33 | 2.7694 | 2.3 | (0,0,4) |
| 32.81 | 2.7293 | 1.2 | (2,1,0) |
| 33.53 | 2.6727 | 15.8 | (2,0,2) |
| 33.83 | 2.6500 | 2.2 | (2,1,1) |
| 36.71 | 2.4482 | 1.6 | (2,1,2) |
| 38.26 | 2.3522 | 100.0 | (2,0,3) |
| 38.63 | 2.3307 | 1.0 | (1,1,4) |
| 40.73 | 2.2155 | 13.9 | (0,0,5) |
| 41.13 | 2.1948 | 2.4 | (2,1,3) |
| 41.87 | 2.1577 | 68.6 | (2,2,0) |
| 44.16 | 2.0507 | 24.5 | (2,0,4) |
| 45.33 | 2.0008 | 1.9 | (3,0,1) |
| 46.73 | 1.9439 | 2.4 | (2,1,4) |
| 47.09 | 1.9299 | 9.2 | (3,1,0) |
| 47.62 | 1.9096 | 1.4 | (3,0,2) |
| 47.84 | 1.9012 | 2.7 | (3,1,1) |
| 48.89 | 1.8629 | 3.5 | (2,2,3) |
能量属性
形成能/原子
-0.62316
eV/atom
能量/原子
-19.98374
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-19.9837
eV/atom
体积/原子
17.94
ų
c/a 比
1.8151
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0685
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000170
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.696
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.304
间隙分数
0.000
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9054
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
7.5272
J/mol·K
Ω 参数
2.9106
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
10.647%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2610
越小混合越稳定
VEC
5.000
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-2.214
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.6531
固溶体倾向
0
相趋势
IM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3290097
参考引用
The crystal structure and related material properties of Ho4Ga16TcIr2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3290097, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho4Ga16TcIr2
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 6.10280225
_cell_length_b 6.10280225
_cell_length_c 11.07745400
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Ho4Ga16TcIr2
_chemical_formula_sum 'Ho4 Ga16 Tc1 Ir2'
_cell_volume 412.57085973
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ho Ho0 1 0.00000000 0.50000000 0.19157177 1.0
Ho Ho1 1 0.00000000 0.50000000 0.80842823 1.0
Ho Ho2 1 0.50000000 0.00000000 0.80842823 1.0
Ho Ho3 1 0.50000000 0.00000000 0.19157177 1.0
Ga Ga4 1 0.00000000 0.00000000 0.22328755 1.0
Ga Ga5 1 0.00000000 0.00000000 0.77671245 1.0
Ga Ga6 1 0.50000000 0.50000000 0.19885131 1.0
Ga Ga7 1 0.50000000 0.50000000 0.80114869 1.0
Ga Ga8 1 0.28785865 0.28785865 0.00000000 1.0
Ga Ga9 1 0.71214135 0.71214135 0.00000000 1.0
Ga Ga10 1 0.28785865 0.71214135 0.00000000 1.0
Ga Ga11 1 0.71214135 0.28785865 0.00000000 1.0
Ga Ga12 1 0.24711316 0.24711316 0.37995770 1.0
Ga Ga13 1 0.75288684 0.75288684 0.37995770 1.0
Ga Ga14 1 0.24711316 0.75288684 0.62004230 1.0
Ga Ga15 1 0.75288684 0.24711316 0.62004230 1.0
Ga Ga16 1 0.75288684 0.75288684 0.62004230 1.0
Ga Ga17 1 0.24711316 0.24711316 0.62004230 1.0
Ga Ga18 1 0.24711316 0.75288684 0.37995770 1.0
Ga Ga19 1 0.75288684 0.24711316 0.37995770 1.0
Tc Tc20 1 0.00000000 0.00000000 0.00000000 1.0
Ir Ir21 1 0.00000000 0.50000000 0.50000000 1.0
Ir Ir22 1 0.50000000 0.00000000 0.50000000 1.0
