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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Th2Si5Tc3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3291685 · 空间群: Ibam (#72)

基础信息

化学式
Th2Si5Tc3
MP-ID
mp-3291685
元素数
3
位点数
20
密度
8.5297
g/cm³
体积
349.84
ų
晶胞参数 a
8.4247
Å
晶胞参数 b
8.4247
Å
晶胞参数 c
8.4247
Å
α 角
140.26
°
β 角
108.64
°
γ 角
84.92
°
空间群
Ibam
点群
mmm
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oI
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.72836
eV/atom
能量/原子
-27.59969
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-27.5997
eV/atom
体积/原子
17.49
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
Yes
总磁矩
1.5301
μB
磁有序
FM
磁性位点数
2
磁化强度/体积
0.004370
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.500
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.500
间隙分数
0.500
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0297
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.5605
J/mol·K
Ω 参数
0.0000
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
17.638%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2400
越小混合越稳定
VEC
3.900
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
0.000
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9372
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3291685
参考引用

The crystal structure and related material properties of Th2Si5Tc3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3291685, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th2Si5Tc3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.42465759
_cell_length_b   8.42465624
_cell_length_c   8.42465673
_cell_angle_alpha   140.25557341
_cell_angle_beta   108.63923273
_cell_angle_gamma   84.92197626
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th2Si5Tc3
_chemical_formula_sum   'Th4 Si10 Tc6'
_cell_volume   349.83562948
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.63367436  0.86681831  0.76685605  1.0
  Th  Th1  1  0.36632564  0.13318169  0.23314395  1.0
  Th  Th2  1  0.09996226  0.36681831  0.73314395  1.0
  Th  Th3  1  0.90003774  0.63318169  0.26685605  1.0
  Si  Si4  1  0.29168814  0.04168814  0.75000000  1.0
  Si  Si5  1  0.70831186  0.95831186  0.25000000  1.0
  Si  Si6  1  0.70831186  0.45831186  0.75000000  1.0
  Si  Si7  1  0.29168814  0.54168814  0.25000000  1.0
  Si  Si8  1  0.43244916  0.59932907  0.83311909  1.0
  Si  Si9  1  0.56755084  0.40067093  0.16688091  1.0
  Si  Si10  1  0.76620999  0.09932907  0.66688091  1.0
  Si  Si11  1  0.23379001  0.90067093  0.33311909  1.0
  Si  Si12  1  0.00000000  0.75000000  0.75000000  1.0
  Si  Si13  1  0.00000000  0.25000000  0.25000000  1.0
  Tc  Tc14  1  0.24116726  0.64831868  0.59284958  1.0
  Tc  Tc15  1  0.75883274  0.35168132  0.40715042  1.0
  Tc  Tc16  1  0.05546710  0.14831868  0.90715042  1.0
  Tc  Tc17  1  0.94453290  0.85168132  0.09284958  1.0
  Tc  Tc18  1  0.50000000  0.75000000  0.25000000  1.0
  Tc  Tc19  1  0.50000000  0.25000000  0.75000000  1.0
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