导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

HoPa2(Ga3Os)3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3291786 · 空间群: P4/mmm (#123)

基础信息

化学式
HoPa2(Ga3Os)3
MP-ID
mp-3291786
元素数
4
位点数
15
密度
11.5530
g/cm³
体积
262.34
ų
晶胞参数 a
6.3735
Å
晶胞参数 b
6.3735
Å
晶胞参数 c
6.4582
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
P4/mmm
点群
4/mmm
晶体系统
Tetragonal
Bravais 格子
tP
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
020406080
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5406 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
13.89 6.3684 1.9 (1,0,0)
19.57 4.5327 11.7 (1,0,1)
19.70 4.5031 13.5 (1,1,0)
27.62 3.2265 12.6 (0,0,2)
28.00 3.1842 23.1 (2,0,0)
31.05 2.8782 2.0 (1,0,2)
31.30 2.8555 6.8 (2,0,1)
31.38 2.8480 2.1 (2,1,0)
34.16 2.6228 9.8 (1,1,2)
34.39 2.6055 10.0 (2,1,1)
39.74 2.2664 100.0 (2,0,2)
40.01 2.2516 50.1 (2,2,0)
41.97 2.1510 2.8 (0,0,3)
42.55 2.1228 2.8 (3,0,0)
44.42 2.0379 3.7 (1,0,3)
44.92 2.0165 3.7 (3,0,1)
44.98 2.0139 6.2 (3,1,0)
49.31 1.8464 14.2 (2,2,2)
51.49 1.7734 1.3 (3,0,2)
51.71 1.7663 1.4 (3,2,0)
53.33 1.7165 1.0 (2,1,3)
53.60 1.7084 3.2 (3,1,2)
57.04 1.6133 7.0 (0,0,4)
57.87 1.5921 14.6 (4,0,0)

能量属性

形成能/原子
-0.51282
eV/atom
能量/原子
-30.41509
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-30.4151
eV/atom
体积/原子
17.49
ų
c/a 比
1.0133

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0058
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000020
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.600
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.400
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0776
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.9589
J/mol·K
Ω 参数
20.1237
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
12.087%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2562
越小混合越稳定
VEC
4.769
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
0.536
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7773
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3291786
参考引用

The crystal structure and related material properties of HoPa2(Ga3Os)3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3291786, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_HoPa2(Ga3Os)3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.37349691
_cell_length_b   6.37349691
_cell_length_c   6.45817511
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   HoPa2(Ga3Os)3
_chemical_formula_sum   'Ho1 Pa2 Ga9 Os3'
_cell_volume   262.34052083
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Pa  Pa1  1  0.50000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Pa  Pa2  1  0.00000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Ga  Ga3  1  0.28878941  0.28878941  0.29439338  1.0
  Ga  Ga4  1  0.71121059  0.71121059  0.70560662  1.0
  Ga  Ga5  1  0.71121059  0.71121059  0.29439338  1.0
  Ga  Ga6  1  0.71121059  0.28878941  0.70560662  1.0
  Ga  Ga7  1  0.28878941  0.28878941  0.70560662  1.0
  Ga  Ga8  1  0.28878941  0.71121059  0.29439338  1.0
  Ga  Ga9  1  0.28878941  0.71121059  0.70560662  1.0
  Ga  Ga10  1  0.71121059  0.28878941  0.29439338  1.0
  Ga  Ga11  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Os  Os12  1  0.00000000  0.50000000  0.50000000  1.0
  Os  Os13  1  0.50000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Os  Os14  1  0.50000000  0.50000000  0.00000000  1.0
获取直接链接