导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

V9Re3Si3Ge

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3291795 · 空间群: P1 (#1)

基础信息

化学式
V9Re3Si3Ge
MP-ID
mp-3291795
元素数
4
位点数
16
密度
9.3037
g/cm³
体积
209.54
ų
晶胞参数 a
4.7183
Å
晶胞参数 b
4.7140
Å
晶胞参数 c
9.4207
Å
α 角
89.88
°
β 角
90.04
°
γ 角
90.02
°
空间群
P1
点群
1
晶体系统
Triclinic
Bravais 格子
aP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.55061
eV/atom
能量/原子
-20.81506
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-20.8151
eV/atom
体积/原子
13.10
ų
c/a 比
1.9966

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0016
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.563
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.438
间隙分数
0.188
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1247
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.3505
J/mol·K
Ω 参数
1.0702
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
5.447%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1440
越小混合越稳定
VEC
5.125
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-19.820
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8113
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3291795
参考引用

The crystal structure and related material properties of V9Re3Si3Ge were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3291795, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V9Re3Si3Ge
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.71833892
_cell_length_b   4.71397508
_cell_length_c   9.42066757
_cell_angle_alpha   89.88015929
_cell_angle_beta   90.03735977
_cell_angle_gamma   90.02251719
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V9Re3Si3Ge
_chemical_formula_sum   'V9 Re3 Si3 Ge1'
_cell_volume   209.53521354
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.99753853  0.49712216  0.62518275  1.0
  V  V1  1  0.50092107  0.25004234  0.25161645  1.0
  V  V2  1  0.75490069  0.00235113  0.00065087  1.0
  V  V3  1  0.00195330  0.49633059  0.86780355  1.0
  V  V4  1  0.99723855  0.50176823  0.38143965  1.0
  V  V5  1  0.49989793  0.74788153  0.74635698  1.0
  V  V6  1  0.50089457  0.75409717  0.25250683  1.0
  V  V7  1  0.24903357  0.00238671  0.99982464  1.0
  V  V8  1  0.24790542  0.99968546  0.50057788  1.0
  Re  Re9  1  0.00117032  0.50136078  0.12744668  1.0
  Re  Re10  1  0.49948007  0.24706795  0.74754909  1.0
  Re  Re11  1  0.74917160  0.99909976  0.49939164  1.0
  Si  Si12  1  0.49195119  0.50200252  0.49702207  1.0
  Si  Si13  1  0.00236574  0.99143686  0.75267373  1.0
  Si  Si14  1  0.00482360  0.00071994  0.25101089  1.0
  Ge  Ge15  1  0.50075483  0.50664786  0.99894730  1.0
获取直接链接