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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

V4ReTc2Os

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3291820 · 空间群: Pmmn (#59)

基础信息

化学式
V4ReTc2Os
MP-ID
mp-3291820
元素数
4
位点数
16
密度
11.7794
g/cm³
体积
218.84
ų
晶胞参数 a
6.0311
Å
晶胞参数 b
4.2594
Å
晶胞参数 c
8.5189
Å
α 角
90.00
°
β 角
89.98
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pmmn
点群
mmm
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.44078
eV/atom
能量/原子
-27.15122
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-27.1512
eV/atom
体积/原子
13.68
ų
c/a 比
1.4125

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0063
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000030
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
V · 0.500
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.500
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2130
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.0849
J/mol·K
Ω 参数
3.0988
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
0.719%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1954
越小混合越稳定
VEC
5.625
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-8.281
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8750
固溶体倾向
1
相趋势
SS

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3291820
参考引用

The crystal structure and related material properties of V4ReTc2Os were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3291820, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_V4ReTc2Os
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.03110033
_cell_length_b   4.25944311
_cell_length_c   8.51888451
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   89.97871990
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   V4ReTc2Os
_chemical_formula_sum   'V8 Re2 Tc4 Os2'
_cell_volume   218.84270603
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  V  V0  1  0.00071117  0.75000100  0.12601780  1.0
  V  V1  1  0.49931891  0.75000100  0.12602063  1.0
  V  V2  1  0.99930635  0.25000100  0.37400883  1.0
  V  V3  1  0.50068619  0.25000100  0.37400792  1.0
  V  V4  1  0.50092407  0.75000100  0.62367279  1.0
  V  V5  1  0.99902500  0.75000100  0.62368184  1.0
  V  V6  1  0.49904937  0.25000100  0.87631757  1.0
  V  V7  1  0.00096588  0.25000100  0.87631632  1.0
  Re  Re8  1  0.25003742  0.25000100  0.12474562  1.0
  Re  Re9  1  0.74998034  0.75000100  0.37526765  1.0
  Tc  Tc10  1  0.74995206  0.25000100  0.12325789  1.0
  Tc  Tc11  1  0.25005140  0.75000100  0.37674312  1.0
  Tc  Tc12  1  0.74997572  0.25000100  0.62672651  1.0
  Tc  Tc13  1  0.25002520  0.75000100  0.87324544  1.0
  Os  Os14  1  0.25004841  0.25000100  0.62532523  1.0
  Os  Os15  1  0.74994051  0.75000100  0.87464485  1.0
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