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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Sc10Ga3Si2Se

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3291829 · 空间群: Amm2 (#38)

基础信息

化学式
Sc10Ga3Si2Se
MP-ID
mp-3291829
元素数
4
位点数
16
密度
4.0561
g/cm³
体积
325.00
ų
晶胞参数 a
7.9635
Å
晶胞参数 b
7.9474
Å
晶胞参数 c
5.9335
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.07
°
空间群
Amm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.79505
eV/atom
能量/原子
-12.05582
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-12.0558
eV/atom
体积/原子
20.31
ų
c/a 比
0.7451

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.2595
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000800
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Sc · 0.625
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.375
间隙分数
0.125
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0408
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.6535
J/mol·K
Ω 参数
0.4806
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
12.468%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3343
越小混合越稳定
VEC
3.188
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-25.790
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7508
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3291829
参考引用

The crystal structure and related material properties of Sc10Ga3Si2Se were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3291829, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Sc10Ga3Si2Se
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.96352413
_cell_length_b   7.94742949
_cell_length_c   5.93351610
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.06701776
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Sc10Ga3Si2Se
_chemical_formula_sum   'Sc10 Ga3 Si2 Se1'
_cell_volume   324.99827692
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Sc  Sc0  1  0.32979443  0.66206276  0.99587438  1.0
  Sc  Sc1  1  0.66773267  0.33793724  0.50412562  1.0
  Sc  Sc2  1  0.66773267  0.33793724  0.99587438  1.0
  Sc  Sc3  1  0.32979443  0.66206276  0.50412562  1.0
  Sc  Sc4  1  0.23463293  0.00000000  0.25000000  1.0
  Sc  Sc5  1  0.23910498  0.24173386  0.75000000  1.0
  Sc  Sc6  1  0.99737012  0.75826614  0.75000000  1.0
  Sc  Sc7  1  0.00694139  0.24463697  0.25000000  1.0
  Sc  Sc8  1  0.76230442  0.75536303  0.25000000  1.0
  Sc  Sc9  1  0.76128015  1.00000000  0.75000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.00027431  0.60115355  0.25000000  1.0
  Ga  Ga11  1  0.39911977  0.39884645  0.25000000  1.0
  Ga  Ga12  1  0.39344393  1.00000000  0.75000000  1.0
  Si  Si13  1  0.60303881  0.60682769  0.75000000  1.0
  Si  Si14  1  0.99621212  0.39317231  0.75000000  1.0
  Se  Se15  1  0.61122188  0.00000000  0.25000000  1.0
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