Sc10Ga3Si2Se

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3291829 · 空间群: Amm2 (#38)

Materials Project API

基础信息

化学式

Sc10Ga3Si2Se

MP-ID

mp-3291829

元素数

位点数

密度

4.0561

g/cm³

体积

325.00

Å³

晶胞参数 a

7.9635

晶胞参数 b

7.9474

晶胞参数 c

5.9335

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.07

空间群

Amm2

点群

mm2

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
12.84	6.8920	26.1	(1,-1,0)
14.93	5.9335	9.9	(0,0,1)
19.74	4.4966	3.0	(1,-1,1)
19.76	4.4928	5.5	(0,1,1)
22.33	3.9818	2.1	(2,-1,0)
22.37	3.9737	10.6	(1,-2,0)
25.85	3.4460	1.0	(2,-2,0)
26.97	3.3063	11.0	(2,-1,1)
27.01	3.3017	11.1	(1,-2,1)
29.99	2.9799	7.1	(2,-2,1)
30.12	2.9668	49.9	(0,0,2)
32.87	2.7250	7.1	(1,-1,2)
32.88	2.7241	12.9	(0,1,2)
34.41	2.6064	9.8	(3,-2,0)
34.46	2.6027	14.4	(2,-3,0)
34.49	2.6004	24.0	(1,-3,0)
37.70	2.3863	71.0	(3,-2,1)
37.74	2.3834	75.4	(2,-3,1)
37.77	2.3817	41.8	(1,-3,1)
37.82	2.3790	39.8	(2,-1,2)
37.84	2.3773	100.0	(1,-2,2)
39.21	2.2973	45.0	(3,-3,0)
39.30	2.2927	26.2	(0,3,0)
40.11	2.2483	13.4	(2,-2,2)

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能量属性

形成能/原子

-0.79505

eV/atom

能量/原子

-12.05582

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-12.0558

eV/atom

体积/原子

20.31

Å³

c/a 比

0.7451

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.2595

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000800

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Sc · 0.625

元素家族

3d-TM

溶质分数

0.375

间隙分数

0.125

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0408

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.6535

J/mol·K

Ω 参数

0.4806

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

12.468%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3343

越小混合越稳定

VEC

3.188

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-25.790

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7508

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahfhov

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3291829

参考引用

The crystal structure and related material properties of Sc10Ga3Si2Se were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3291829, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Sc10Ga3Si2Se
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.96352413
_cell_length_b   7.94742949
_cell_length_c   5.93351610
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.06701776
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Sc10Ga3Si2Se
_chemical_formula_sum   'Sc10 Ga3 Si2 Se1'
_cell_volume   324.99827692
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Sc  Sc0  1  0.32979443  0.66206276  0.99587438  1.0
  Sc  Sc1  1  0.66773267  0.33793724  0.50412562  1.0
  Sc  Sc2  1  0.66773267  0.33793724  0.99587438  1.0
  Sc  Sc3  1  0.32979443  0.66206276  0.50412562  1.0
  Sc  Sc4  1  0.23463293  0.00000000  0.25000000  1.0
  Sc  Sc5  1  0.23910498  0.24173386  0.75000000  1.0
  Sc  Sc6  1  0.99737012  0.75826614  0.75000000  1.0
  Sc  Sc7  1  0.00694139  0.24463697  0.25000000  1.0
  Sc  Sc8  1  0.76230442  0.75536303  0.25000000  1.0
  Sc  Sc9  1  0.76128015  1.00000000  0.75000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.00027431  0.60115355  0.25000000  1.0
  Ga  Ga11  1  0.39911977  0.39884645  0.25000000  1.0
  Ga  Ga12  1  0.39344393  1.00000000  0.75000000  1.0
  Si  Si13  1  0.60303881  0.60682769  0.75000000  1.0
  Si  Si14  1  0.99621212  0.39317231  0.75000000  1.0
  Se  Se15  1  0.61122188  0.00000000  0.25000000  1.0

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