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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Th5SnGeBi2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3291948 · 空间群: Amm2 (#38)

基础信息

化学式
Th5SnGeBi2
MP-ID
mp-3291948
元素数
4
位点数
18
密度
11.0600
g/cm³
体积
531.34
ų
晶胞参数 a
9.6503
Å
晶胞参数 b
9.6614
Å
晶胞参数 c
6.5781
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
119.96
°
空间群
Amm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
10.58 8.3606 2.9 (1,0,0)
13.46 6.5781 1.1 (0,0,1)
21.25 4.1803 3.1 (2,0,0)
22.84 3.8936 1.5 (1,1,1)
22.86 3.8907 1.1 (2,-1,1)
25.24 3.5282 1.1 (2,0,1)
27.11 3.2890 17.9 (0,0,2)
28.21 3.1631 11.6 (1,2,0)
28.23 3.1616 8.3 (2,1,0)
28.25 3.1590 7.5 (3,-1,0)
29.17 3.0612 5.7 (0,1,2)
29.18 3.0607 6.3 (1,0,2)
31.38 2.8507 35.7 (1,2,1)
31.39 2.8495 46.1 (2,1,1)
31.41 2.8476 45.7 (3,-1,1)
32.08 2.7901 36.9 (0,3,0)
32.12 2.7869 68.8 (3,0,0)
32.95 2.7187 100.0 (1,1,2)
32.96 2.7177 45.4 (2,-1,2)
34.69 2.5860 1.4 (0,2,2)
34.70 2.5849 2.4 (2,0,2)
37.23 2.4153 1.5 (2,2,0)
39.76 2.2673 2.0 (2,2,1)
41.24 2.1890 7.9 (1,3,1)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.77745
eV/atom
能量/原子
-58.88845
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-58.8885
eV/atom
体积/原子
29.52
ų
c/a 比
0.6816

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0009
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Th · 0.556
元素家族
Actinide
溶质分数
0.444
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1491
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.5533
J/mol·K
Ω 参数
10.0685
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
10.906%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3495
越小混合越稳定
VEC
3.111
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-1.411
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8289
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3291948
参考引用

The crystal structure and related material properties of Th5SnGeBi2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3291948, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th5SnGeBi2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   9.65029671
_cell_length_b   9.66137318
_cell_length_c   6.57806067
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.96208232
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th5SnGeBi2
_chemical_formula_sum   'Th10 Sn2 Ge2 Bi4'
_cell_volume   531.34162619
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.99982167  0.73945121  0.75000000  1.0
  Th  Th1  1  0.26037046  0.26054879  0.75000000  1.0
  Th  Th2  1  0.33109596  0.66400683  0.49718894  1.0
  Th  Th3  1  0.66709013  0.33599317  0.49718894  1.0
  Th  Th4  1  0.74138923  0.73727874  0.25000000  1.0
  Th  Th5  1  0.74055244  0.00000000  0.75000000  1.0
  Th  Th6  1  0.00411049  0.26272126  0.25000000  1.0
  Th  Th7  1  0.25834466  0.00000000  0.25000000  1.0
  Th  Th8  1  0.33109596  0.66400683  0.00281106  1.0
  Th  Th9  1  0.66709013  0.33599317  0.00281106  1.0
  Sn  Sn10  1  0.38931279  0.38897801  0.25000000  1.0
  Sn  Sn11  1  0.00033578  0.61102199  0.25000000  1.0
  Ge  Ge12  1  0.99930850  0.00000000  0.99909708  1.0
  Ge  Ge13  1  0.99930850  0.00000000  0.50090292  1.0
  Bi  Bi14  1  0.60995852  0.61027104  0.75000000  1.0
  Bi  Bi15  1  0.99968648  0.38972896  0.75000000  1.0
  Bi  Bi16  1  0.38921834  0.00000000  0.75000000  1.0
  Bi  Bi17  1  0.61190995  0.00000000  0.25000000  1.0
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