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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

MP-ID: mp-3292020 · 空间群: P-1 (#2)

基础信息

化学式
GaTc4As5
MP-ID
mp-3292020
元素数
3
位点数
20
密度
8.5194
g/cm³
体积
326.02
ų
晶胞参数 a
6.2286
Å
晶胞参数 b
6.7760
Å
晶胞参数 c
8.1675
Å
α 角
95.27
°
β 角
100.94
°
γ 角
103.31
°
空间群
P-1
点群
-1
晶体系统
Triclinic
Bravais 格子
aP
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.34044
eV/atom
能量/原子
-19.22435
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-19.2244
eV/atom
体积/原子
16.30
ų
c/a 比
1.3113

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0056
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000020
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
As · 0.500
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.500
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
0.9433
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
7.8430
J/mol·K
Ω 参数
0.0000
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
8.000%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1512
越小混合越稳定
VEC
3.800
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
0.000
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8587
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3292020
参考引用

The crystal structure and related material properties of GaTc4As5 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3292020, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_GaTc4As5
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.22855158
_cell_length_b   6.77597476
_cell_length_c   8.16745925
_cell_angle_alpha   95.27250753
_cell_angle_beta   100.93799781
_cell_angle_gamma   103.30590468
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   GaTc4As5
_chemical_formula_sum   'Ga2 Tc8 As10'
_cell_volume   326.02418439
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ga  Ga0  1  0.73666329  0.57185841  0.37266589  1.0
  Ga  Ga1  1  0.26333671  0.42814159  0.62733411  1.0
  Tc  Tc2  1  0.89155648  0.42177220  0.12737275  1.0
  Tc  Tc3  1  0.10844352  0.57822780  0.87262725  1.0
  Tc  Tc4  1  0.38324540  0.42401200  0.12607670  1.0
  Tc  Tc5  1  0.61675460  0.57598800  0.87392330  1.0
  Tc  Tc6  1  0.55784467  0.87995374  0.36928210  1.0
  Tc  Tc7  1  0.44215533  0.12004626  0.63071790  1.0
  Tc  Tc8  1  0.06801809  0.88223662  0.37213350  1.0
  Tc  Tc9  1  0.93198191  0.11776338  0.62786650  1.0
  As  As10  1  0.23400906  0.57702516  0.36493376  1.0
  As  As11  1  0.76599094  0.42297484  0.63506624  1.0
  As  As12  1  0.86736354  0.15234602  0.32204625  1.0
  As  As13  1  0.13263646  0.84765398  0.67795375  1.0
  As  As14  1  0.37218838  0.15805732  0.32553778  1.0
  As  As15  1  0.62781162  0.84194268  0.67446222  1.0
  As  As16  1  0.53634914  0.19680317  0.95100310  1.0
  As  As17  1  0.46365086  0.80319683  0.04899690  1.0
  As  As18  1  0.03636801  0.19535058  0.94863493  1.0
  As  As19  1  0.96363199  0.80464942  0.05136507  1.0
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