Tb2In(Ga2Ni3)3

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3292480 · 空间群: P6/mmm (#191)

Materials Project API

基础信息

化学式

Tb2In(Ga2Ni3)3

MP-ID

mp-3292480

元素数

位点数

密度

8.7711

g/cm³

体积

261.12

Å³

晶胞参数 a

3.8678

晶胞参数 b

8.8289

晶胞参数 c

8.8293

α 角

120.00

β 角

90.00

γ 角

90.00

空间群

P6/mmm

点群

6/mmm

晶体系统

Hexagonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
11.57	7.6465	1.1	(0,0,0,1)
11.57	7.6462	2.3	(0,1,-1,-1)
23.27	3.8233	1.1	(0,0,0,2)
23.27	3.8231	2.2	(0,2,-2,-2)
25.81	3.4514	15.4	(1,0,-1,1)
25.81	3.4513	30.7	(1,1,-2,-1)
30.73	2.9092	10.6	(1,1,-2,-2)
30.73	2.9091	5.3	(1,2,-3,-1)
32.94	2.7191	14.7	(1,0,-1,2)
32.94	2.7190	29.1	(1,2,-3,-2)
35.21	2.5489	27.4	(0,0,0,3)
35.21	2.5487	54.9	(0,3,-3,-3)
38.90	2.3152	19.5	(1,-1,0,3)
38.90	2.3151	19.4	(1,2,-3,-3)
38.90	2.3151	19.5	(1,3,-4,-2)
40.88	2.2073	51.4	(0,2,-2,-4)
40.89	2.2072	25.7	(0,4,-4,-2)
42.47	2.1283	50.0	(1,0,-1,3)
42.48	2.1282	100.0	(1,3,-4,-3)
46.99	1.9339	57.3	(2,0,-2,0)
47.42	1.9171	36.3	(1,2,-3,-4)
47.42	1.9170	18.2	(1,4,-5,-2)
48.98	1.8596	4.0	(1,1,-2,-4)
48.99	1.8595	4.0	(1,3,-4,-4)

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能量属性

形成能/原子

-0.51559

eV/atom

能量/原子

-15.04468

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-15.0447

eV/atom

体积/原子

14.51

Å³

c/a 比

2.2828

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0027

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000010

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ni · 0.500

元素家族

3d-TM

溶质分数

0.500

间隙分数

0.000

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.1175

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.2908

J/mol·K

Ω 参数

0.6609

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

12.647%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2452

越小混合越稳定

VEC

7.167

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-16.445

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8061

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahfinw

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3292480

参考引用

The crystal structure and related material properties of Tb2In(Ga2Ni3)3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3292480, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Tb2In(Ga2Ni3)3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   3.86778225
_cell_length_b   8.82893446
_cell_length_c   8.82933388
_cell_angle_alpha   119.99850367
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tb2In(Ga2Ni3)3
_chemical_formula_sum   'Tb2 In1 Ga6 Ni9'
_cell_volume   261.11716909
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tb  Tb0  1  0.50000000  0.83335356  0.66670612  1.0
  Tb  Tb1  1  0.50000000  0.16664644  0.33329388  1.0
  In  In2  1  0.00000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Ga  Ga3  1  0.50000000  0.17931546  0.00000000  1.0
  Ga  Ga4  1  0.50000000  0.50005899  0.67949167  1.0
  Ga  Ga5  1  0.50000000  0.82056731  0.32050833  1.0
  Ga  Ga6  1  0.50000000  0.82068454  0.00000000  1.0
  Ga  Ga7  1  0.50000000  0.49994101  0.32050833  1.0
  Ga  Ga8  1  0.50000000  0.17943269  0.67949167  1.0
  Ni  Ni9  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Ni  Ni10  1  0.00000000  0.50000000  0.50000000  1.0
  Ni  Ni11  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Ni  Ni12  1  0.00000000  0.67298136  0.34596171  1.0
  Ni  Ni13  1  0.00000000  0.15417319  0.82722176  1.0
  Ni  Ni14  1  0.00000000  0.67304858  0.82722176  1.0
  Ni  Ni15  1  0.00000000  0.32701864  0.65403829  1.0
  Ni  Ni16  1  0.00000000  0.32695142  0.17277824  1.0
  Ni  Ni17  1  0.00000000  0.84582681  0.17277824  1.0

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