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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

MP-ID: mp-3292563 · 空间群: P-62m (#189)

基础信息

化学式
ThGa2Ni3
MP-ID
mp-3292563
元素数
3
位点数
18
密度
9.7942
g/cm³
体积
278.51
ų
晶胞参数 a
8.8777
Å
晶胞参数 b
8.8777
Å
晶胞参数 c
4.0804
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.00
°
空间群
P-62m
点群
-6m2
晶体系统
Hexagonal
Bravais 格子
hP
稳定性
Yes
堆积分数
0.7405

能量属性

形成能/原子
-0.55234
eV/atom
能量/原子
-22.60333
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-22.6033
eV/atom
体积/原子
15.47
ų
c/a 比
0.4596

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0012
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ni · 0.500
元素家族
3d-TM
溶质分数
0.500
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0114
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.4088
J/mol·K
Ω 参数
0.8309
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
14.489%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2171
越小混合越稳定
VEC
6.333
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-13.333
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9206
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3292563
参考引用

The crystal structure and related material properties of ThGa2Ni3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3292563, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_ThGa2Ni3
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.87771576
_cell_length_b   8.87771523
_cell_length_c   4.08038927
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.99999827
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   ThGa2Ni3
_chemical_formula_sum   'Th3 Ga6 Ni9'
_cell_volume   278.50608116
_cell_formula_units_Z   3
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.66666700  0.33333300  0.50000000  1.0
  Th  Th1  1  0.33333300  0.66666700  0.50000000  1.0
  Th  Th2  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  Ga  Ga3  1  0.27468273  0.27468273  0.50000000  1.0
  Ga  Ga4  1  0.72531727  1.00000000  0.50000000  1.0
  Ga  Ga5  1  0.00000000  0.72531727  0.50000000  1.0
  Ga  Ga6  1  0.53392608  0.53392608  0.00000000  1.0
  Ga  Ga7  1  0.46607392  0.00000000  0.00000000  1.0
  Ga  Ga8  1  1.00000000  0.46607392  0.00000000  1.0
  Ni  Ni9  1  0.78829288  0.16585857  0.00000000  1.0
  Ni  Ni10  1  0.83414143  0.62243232  0.00000000  1.0
  Ni  Ni11  1  0.37756768  0.21170712  0.00000000  1.0
  Ni  Ni12  1  0.16585857  0.78829288  0.00000000  1.0
  Ni  Ni13  1  0.62243232  0.83414143  0.00000000  1.0
  Ni  Ni14  1  0.21170712  0.37756768  0.00000000  1.0
  Ni  Ni15  1  0.71572706  0.71572706  0.50000000  1.0
  Ni  Ni16  1  0.28427294  0.00000000  0.50000000  1.0
  Ni  Ni17  1  1.00000000  0.28427294  0.50000000  1.0
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