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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Tm5GaSnBi

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3292982 · 空间群: Amm2 (#38)

基础信息

化学式
Tm5GaSnBi
MP-ID
mp-3292982
元素数
4
位点数
16
密度
9.7584
g/cm³
体积
422.72
ų
晶胞参数 a
8.7173
Å
晶胞参数 b
8.6836
Å
晶胞参数 c
6.4399
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
119.87
°
空间群
Amm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
11.71 7.5591 6.1 (1,0,0)
13.75 6.4399 2.8 (0,0,1)
18.10 4.9021 1.9 (1,0,1)
18.13 4.8941 1.7 (1,-1,1)
20.38 4.3586 3.0 (2,-1,0)
20.46 4.3418 1.7 (1,-2,0)
23.54 3.7796 9.1 (2,0,0)
23.63 3.7650 2.8 (2,-2,0)
24.73 3.6000 1.9 (1,-2,1)
27.44 3.2503 8.7 (2,-2,1)
27.70 3.2200 33.5 (0,0,2)
30.17 2.9624 3.7 (1,0,2)
30.19 2.9606 41.2 (1,-1,2)
31.33 2.8555 3.2 (3,-1,0)
31.33 2.8555 3.2 (2,1,0)
31.38 2.8508 29.5 (3,-2,0)
31.47 2.8429 33.6 (2,-3,0)
34.35 2.6104 100.0 (3,-1,1)
34.40 2.6068 25.9 (3,-2,1)
34.40 2.6068 25.9 (1,2,1)
34.49 2.6008 47.0 (2,-3,1)
34.64 2.5899 85.0 (2,-1,2)
34.68 2.5863 63.6 (1,-2,2)
35.63 2.5197 15.0 (3,0,0)
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能量属性

形成能/原子
-0.75096
eV/atom
能量/原子
-34.53802
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-34.5380
eV/atom
体积/原子
26.42
ų
c/a 比
0.7388

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
Yes
总磁矩
0.7926
μB
磁有序
FM
磁性位点数
8
磁化强度/体积
0.001870
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Tm · 0.625
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.375
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0735
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.9254
J/mol·K
Ω 参数
25.5087
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
8.620%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3336
越小混合越稳定
VEC
9.625
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-0.457
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7744
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3292982
参考引用

The crystal structure and related material properties of Tm5GaSnBi were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3292982, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Tm5GaSnBi
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.71731435
_cell_length_b   8.68360661
_cell_length_c   6.43993706
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.87218238
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Tm5GaSnBi
_chemical_formula_sum   'Tm10 Ga2 Sn2 Bi2'
_cell_volume   422.72022160
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Tm  Tm0  1  0.69125574  0.34727649  0.00457184  1.0
  Tm  Tm1  1  0.30874426  0.65602175  0.00457184  1.0
  Tm  Tm2  1  0.30874426  0.65602175  0.49542816  1.0
  Tm  Tm3  1  0.69125574  0.34727649  0.49542816  1.0
  Tm  Tm4  1  0.77447417  0.75653006  0.75000000  1.0
  Tm  Tm5  1  0.22552583  0.98205589  0.75000000  1.0
  Tm  Tm6  1  0.00000000  0.24336055  0.75000000  1.0
  Tm  Tm7  1  0.23051867  0.24230938  0.25000000  1.0
  Tm  Tm8  1  0.76948133  0.01179071  0.25000000  1.0
  Tm  Tm9  1  1.00000000  0.75945310  0.25000000  1.0
  Ga  Ga10  1  0.00000000  0.60037317  0.75000000  1.0
  Ga  Ga11  1  1.00000000  0.39602488  0.25000000  1.0
  Sn  Sn12  1  0.60352143  0.61094048  0.25000000  1.0
  Sn  Sn13  1  0.39647857  0.00741904  0.25000000  1.0
  Bi  Bi14  1  0.39640950  0.38977737  0.75000000  1.0
  Bi  Bi15  1  0.60359050  0.99336787  0.75000000  1.0
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