Nb4V4GaSi3
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3293583 · 空间群: Pm (#6)
基础信息
化学式
Nb4V4GaSi3
MP-ID
mp-3293583
元素数
4
位点数
12
密度
6.7629
g/cm³
体积
179.09
ų
晶胞参数 a
3.3894
Å
晶胞参数 b
6.6060
Å
晶胞参数 c
7.9985
Å
α 角
89.77
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mP
稳定性
Yes
堆积分数
-
能量属性
形成能/原子
-0.61532
eV/atom
能量/原子
-16.70354
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-16.7035
eV/atom
体积/原子
14.92
ų
c/a 比
2.3599
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0003
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Nb · 0.333
元素家族
4d-TM
溶质分数
0.667
间隙分数
0.250
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2861
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
10.6923
J/mol·K
Ω 参数
0.6833
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
8.196%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.1264
越小混合越稳定
VEC
4.583
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-32.723
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.9277
固溶体倾向
0
相趋势
AM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3293583
参考引用
The crystal structure and related material properties of Nb4V4GaSi3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3293583, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
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_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
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_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Nb4V4GaSi3
_chemical_formula_sum 'Nb4 V4 Ga1 Si3'
_cell_volume 179.08689746
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Nb Nb0 1 0.25000000 0.04680364 0.83020981 1.0
Nb Nb1 1 0.25000000 0.54842850 0.67292266 1.0
Nb Nb2 1 0.75000000 0.95631395 0.16288872 1.0
Nb Nb3 1 0.75000000 0.44175639 0.33022528 1.0
V V4 1 0.25000000 0.13179848 0.44017647 1.0
V V5 1 0.25000000 0.62630460 0.05857876 1.0
V V6 1 0.75000000 0.87655165 0.56587926 1.0
V V7 1 0.75000000 0.37257073 0.93844113 1.0
Ga Ga8 1 0.25000000 0.75014425 0.36236905 1.0
Si Si9 1 0.25000000 0.25126631 0.13643002 1.0
Si Si10 1 0.75000000 0.25008754 0.63865065 1.0
Si Si11 1 0.75000000 0.74797397 0.86323119 1.0