HoSc(SiTc2)4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3293845 · 空间群: Cmmm (#65)

Materials Project API

基础信息

化学式

HoSc(SiTc2)4

MP-ID

mp-3293845

元素数

位点数

密度

8.5007

g/cm³

体积

216.09

Å³

晶胞参数 a

7.2347

晶胞参数 b

7.2347

晶胞参数 c

4.1301

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

88.40

空间群

Cmmm

点群

mmm

晶体系统

Orthorhombic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.60027

eV/atom

能量/原子

-21.10685

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-21.1069

eV/atom

体积/原子

15.44

Å³

c/a 比

0.5709

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0010

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Tc · 0.571

元素家族

4d-TM

溶质分数

0.429

间隙分数

0.286

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0547

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.7689

J/mol·K

Ω 参数

5.5385

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

11.948%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2131

越小混合越稳定

VEC

5.000

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-3.363

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7608

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahfkoj

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3293845

参考引用

The crystal structure and related material properties of HoSc(SiTc2)4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3293845, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_HoSc(SiTc2)4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.23473180
_cell_length_b   7.23473180
_cell_length_c   4.13014315
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   88.39948919
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   HoSc(SiTc2)4
_chemical_formula_sum   'Ho1 Sc1 Si4 Tc8'
_cell_volume   216.09290615
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.50000000  0.50000000  0.00000000  1.0
  Sc  Sc1  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Si  Si2  1  0.71238705  0.71238705  0.50000000  1.0
  Si  Si3  1  0.28761295  0.28761295  0.50000000  1.0
  Si  Si4  1  0.20139254  0.79860746  0.00000000  1.0
  Si  Si5  1  0.79860746  0.20139254  0.00000000  1.0
  Tc  Tc6  1  0.60236607  0.15109232  0.50000000  1.0
  Tc  Tc7  1  0.39763393  0.84890768  0.50000000  1.0
  Tc  Tc8  1  0.09073338  0.34112826  0.00000000  1.0
  Tc  Tc9  1  0.90926662  0.65887174  0.00000000  1.0
  Tc  Tc10  1  0.15109232  0.60236607  0.50000000  1.0
  Tc  Tc11  1  0.84890768  0.39763393  0.50000000  1.0
  Tc  Tc12  1  0.34112826  0.09073338  0.00000000  1.0
  Tc  Tc13  1  0.65887174  0.90926662  0.00000000  1.0

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