Hf4Ga3OsN
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3294649 · 空间群: P-31m (#162)
基础信息
化学式
Hf4Ga3OsN
MP-ID
mp-3294649
元素数
4
位点数
18
密度
13.2031
g/cm³
体积
283.58
ų
晶胞参数 a
7.8095
Å
晶胞参数 b
7.8095
Å
晶胞参数 c
5.3690
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
120.00
°
空间群
P-31m
点群
-3m
晶体系统
Trigonal
Bravais 格子
hP
稳定性
Yes
堆积分数
0.7405
能量属性
形成能/原子
-0.97772
eV/atom
能量/原子
-31.76083
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-31.7608
eV/atom
体积/原子
15.75
ų
c/a 比
0.6875
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0003
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Hf · 0.444
元素家族
5d-TM
溶质分数
0.556
间隙分数
0.111
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2149
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
10.1006
J/mol·K
Ω 参数
0.3130
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
18.200%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.5463
越小混合越稳定
VEC
4.222
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-51.281
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8764
固溶体倾向
0
相趋势
AM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3294649
参考引用
The crystal structure and related material properties of Hf4Ga3OsN were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3294649, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Hf4Ga3OsN
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 7.80950109
_cell_length_b 7.80950139
_cell_length_c 5.36897727
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 120.00000696
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Hf4Ga3OsN
_chemical_formula_sum 'Hf8 Ga6 Os2 N2'
_cell_volume 283.57553687
_cell_formula_units_Z 2
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Hf Hf0 1 0.23266915 1.00000000 0.25024858 1.0
Hf Hf1 1 0.76733085 0.00000000 0.74975142 1.0
Hf Hf2 1 1.00000000 0.23266915 0.25024858 1.0
Hf Hf3 1 0.00000000 0.76733085 0.74975142 1.0
Hf Hf4 1 0.76733085 0.76733085 0.25024858 1.0
Hf Hf5 1 0.23266915 0.23266915 0.74975142 1.0
Hf Hf6 1 0.66666700 0.33333300 0.50000000 1.0
Hf Hf7 1 0.33333300 0.66666700 0.50000000 1.0
Ga Ga8 1 0.59234500 1.00000000 0.23155035 1.0
Ga Ga9 1 0.40765500 0.00000000 0.76844965 1.0
Ga Ga10 1 1.00000000 0.59234500 0.23155035 1.0
Ga Ga11 1 0.00000000 0.40765500 0.76844965 1.0
Ga Ga12 1 0.40765500 0.40765500 0.23155035 1.0
Ga Ga13 1 0.59234500 0.59234500 0.76844965 1.0
Os Os14 1 0.33333300 0.66666700 0.00000000 1.0
Os Os15 1 0.66666700 0.33333300 0.00000000 1.0
N N16 1 0.00000000 0.00000000 0.00000000 1.0
N N17 1 0.00000000 0.00000000 0.50000000 1.0