Hf4Ga3OsN

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3294649 · 空间群: P-31m (#162)

Materials Project API

基础信息

化学式

Hf4Ga3OsN

MP-ID

mp-3294649

元素数

位点数

密度

13.2031

g/cm³

体积

283.58

Å³

晶胞参数 a

7.8095

晶胞参数 b

7.8095

晶胞参数 c

5.3690

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P-31m

点群

-3m

晶体系统

Trigonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
22.77	3.9048	9.7	(2,-1,-1,0)
26.36	3.3816	12.2	(2,0,-2,0)
28.26	3.1579	13.7	(2,-1,-1,1)
33.38	2.6845	7.5	(0,0,0,2)
35.11	2.5563	45.8	(3,-1,-2,0)
35.99	2.4951	30.3	(1,0,-1,2)
39.03	2.3080	100.0	(3,-1,-2,1)
39.99	2.2544	9.8	(3,-3,0,0)
39.99	2.2544	19.6	(3,0,-3,0)
40.79	2.2121	69.7	(2,-1,-1,2)
43.02	2.1025	2.8	(2,0,-2,2)
46.51	1.9524	1.8	(4,-2,-2,0)
48.53	1.8758	1.7	(4,-1,-3,0)
49.69	1.8348	5.8	(4,-2,-2,1)
51.61	1.7708	1.3	(4,-1,-3,1)
53.05	1.7264	4.3	(3,0,-3,2)
54.25	1.6908	2.5	(4,-4,0,0)
54.25	1.6908	1.3	(4,0,-4,0)
56.57	1.6269	1.6	(2,-1,-1,3)
58.45	1.5790	13.7	(4,-2,-2,2)
58.45	1.5790	6.8	(2,2,-4,2)
59.58	1.5516	1.7	(5,-2,-3,0)
60.18	1.5376	4.3	(4,-1,-3,2)
62.29	1.4906	1.3	(3,-5,2,1)

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能量属性

形成能/原子

-0.97772

eV/atom

能量/原子

-31.76083

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-31.7608

eV/atom

体积/原子

15.75

Å³

c/a 比

0.6875

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0003

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000000

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Hf · 0.444

元素家族

5d-TM

溶质分数

0.556

间隙分数

0.111

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.2149

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

10.1006

J/mol·K

Ω 参数

0.3130

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

18.200%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.5463

越小混合越稳定

VEC

4.222

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-51.281

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8764

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahflth

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3294649

参考引用

The crystal structure and related material properties of Hf4Ga3OsN were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3294649, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Hf4Ga3OsN
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.80950109
_cell_length_b   7.80950139
_cell_length_c   5.36897727
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   120.00000696
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Hf4Ga3OsN
_chemical_formula_sum   'Hf8 Ga6 Os2 N2'
_cell_volume   283.57553687
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Hf  Hf0  1  0.23266915  1.00000000  0.25024858  1.0
  Hf  Hf1  1  0.76733085  0.00000000  0.74975142  1.0
  Hf  Hf2  1  1.00000000  0.23266915  0.25024858  1.0
  Hf  Hf3  1  0.00000000  0.76733085  0.74975142  1.0
  Hf  Hf4  1  0.76733085  0.76733085  0.25024858  1.0
  Hf  Hf5  1  0.23266915  0.23266915  0.74975142  1.0
  Hf  Hf6  1  0.66666700  0.33333300  0.50000000  1.0
  Hf  Hf7  1  0.33333300  0.66666700  0.50000000  1.0
  Ga  Ga8  1  0.59234500  1.00000000  0.23155035  1.0
  Ga  Ga9  1  0.40765500  0.00000000  0.76844965  1.0
  Ga  Ga10  1  1.00000000  0.59234500  0.23155035  1.0
  Ga  Ga11  1  0.00000000  0.40765500  0.76844965  1.0
  Ga  Ga12  1  0.40765500  0.40765500  0.23155035  1.0
  Ga  Ga13  1  0.59234500  0.59234500  0.76844965  1.0
  Os  Os14  1  0.33333300  0.66666700  0.00000000  1.0
  Os  Os15  1  0.66666700  0.33333300  0.00000000  1.0
  N  N16  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0
  N  N17  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0

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