Ho3Tm(Si4Tc3)2

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3294700 · 空间群: P1 (#1)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ho3Tm(Si4Tc3)2

MP-ID

mp-3294700

元素数

位点数

密度

8.5688

g/cm³

体积

286.11

Å³

晶胞参数 a

6.7362

晶胞参数 b

6.7192

晶胞参数 c

6.7276

α 角

70.01

β 角

89.90

γ 角

89.03

空间群

点群

晶体系统

Triclinic

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

能量属性

形成能/原子

-0.78502

eV/atom

能量/原子

-20.77075

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-20.7708

eV/atom

体积/原子

15.90

Å³

c/a 比

0.9987

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

总磁矩

0.0024

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000010

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Si · 0.444

元素家族

Metalloid-Nonmetal

溶质分数

0.556

间隙分数

0.444

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.1858

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

9.8589

J/mol·K

Ω 参数

0.0000

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

16.435%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.2765

越小混合越稳定

VEC

6.000

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

0.000

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.8554

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahflvg

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3294700

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho3Tm(Si4Tc3)2 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3294700, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ho3Tm(Si4Tc3)2
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.73616783
_cell_length_b   6.71916858
_cell_length_c   6.72761611
_cell_angle_alpha   70.01039785
_cell_angle_beta   89.89889398
_cell_angle_gamma   89.02919140
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho3Tm(Si4Tc3)2
_chemical_formula_sum   'Ho3 Tm1 Si8 Tc6'
_cell_volume   286.11313730
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.32914539  0.55568964  0.80905262  1.0
  Ho  Ho1  1  0.83059096  0.93942005  0.19398545  1.0
  Ho  Ho2  1  0.66561949  0.44187698  0.19177451  1.0
  Tm  Tm3  1  0.16793061  0.06178229  0.80865165  1.0
  Si  Si4  1  0.54718273  0.87061806  0.90110015  1.0
  Si  Si5  1  0.05002086  0.62291438  0.10257416  1.0
  Si  Si6  1  0.45015711  0.11887705  0.10012222  1.0
  Si  Si7  1  0.93830460  0.38771857  0.88835022  1.0
  Si  Si8  1  0.14385725  0.87361054  0.48833879  1.0
  Si  Si9  1  0.64847629  0.62481101  0.52868322  1.0
  Si  Si10  1  0.86495753  0.13584847  0.50535226  1.0
  Si  Si11  1  0.35989958  0.36707103  0.48828205  1.0
  Tc  Tc12  1  0.50019050  0.99445772  0.49991452  1.0
  Tc  Tc13  1  0.99947761  0.50025195  0.50105570  1.0
  Tc  Tc14  1  0.85716239  0.77651152  0.76306867  1.0
  Tc  Tc15  1  0.34500587  0.74227584  0.23975391  1.0
  Tc  Tc16  1  0.15278543  0.24497258  0.23306744  1.0
  Tc  Tc17  1  0.64923478  0.24129233  0.75687347  1.0

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