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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Th8Sc12Ga15Si

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3295203 · 空间群: Pm (#6)

基础信息

化学式
Th8Sc12Ga15Si
MP-ID
mp-3295203
元素数
4
位点数
36
密度
6.9914
g/cm³
体积
824.09
ų
晶胞参数 a
7.3953
Å
晶胞参数 b
7.6625
Å
晶胞参数 c
14.5429
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.08
°
空间群
Pm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mP
稳定性
No
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.65946
eV/atom
能量/原子
-25.79833
eV/atom
凸包距离
0.0010
eV/atom
未修正能量
-25.7983
eV/atom
体积/原子
22.89
ų
c/a 比
1.9665

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
3.9645
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.004810
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.417
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.583
间隙分数
0.028
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1648
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.6839
J/mol·K
Ω 参数
0.7571
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
12.356%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2398
越小混合越稳定
VEC
2.806
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-15.959
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8402
固溶体倾向
0
相趋势
AM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3295203
参考引用

The crystal structure and related material properties of Th8Sc12Ga15Si were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3295203, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Th8Sc12Ga15Si
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   7.39532980
_cell_length_b   7.66244892
_cell_length_c   14.54287802
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   90.08287129
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Th8Sc12Ga15Si
_chemical_formula_sum   'Th8 Sc12 Ga15 Si1'
_cell_volume   824.09076321
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Th  Th0  1  0.01262697  0.17763853  0.09680423  1.0
  Th  Th1  1  0.98818435  0.82002726  0.90054915  1.0
  Th  Th2  1  0.49135347  0.67679552  0.90251278  1.0
  Th  Th3  1  0.98818435  0.82002726  0.59945085  1.0
  Th  Th4  1  0.51104774  0.32210877  0.09626937  1.0
  Th  Th5  1  0.01262697  0.17763853  0.40319577  1.0
  Th  Th6  1  0.51104774  0.32210877  0.40373063  1.0
  Th  Th7  1  0.49135347  0.67679552  0.59748722  1.0
  Sc  Sc8  1  0.16168870  0.49639404  0.75000000  1.0
  Sc  Sc9  1  0.83305843  0.50512362  0.25000000  1.0
  Sc  Sc10  1  0.33386234  0.99691359  0.25000000  1.0
  Sc  Sc11  1  0.66710387  0.99811462  0.75000000  1.0
  Sc  Sc12  1  0.33095294  0.17192110  0.62534535  1.0
  Sc  Sc13  1  0.66992386  0.82868207  0.37540524  1.0
  Sc  Sc14  1  0.17044126  0.67192479  0.37575001  1.0
  Sc  Sc15  1  0.66992386  0.82868207  0.12459476  1.0
  Sc  Sc16  1  0.82722044  0.32974179  0.62537270  1.0
  Sc  Sc17  1  0.33095294  0.17192110  0.87465465  1.0
  Sc  Sc18  1  0.82722044  0.32974179  0.87462730  1.0
  Sc  Sc19  1  0.17044126  0.67192479  0.12424999  1.0
  Ga  Ga20  1  0.03123337  0.12417009  0.75000000  1.0
  Ga  Ga21  1  0.96826496  0.87870931  0.25000000  1.0
  Ga  Ga22  1  0.46772893  0.62113181  0.25000000  1.0
  Ga  Ga23  1  0.52961454  0.37930933  0.75000000  1.0
  Ga  Ga24  1  0.29286557  0.87697915  0.75000000  1.0
  Ga  Ga25  1  0.70996945  0.12308500  0.25000000  1.0
  Ga  Ga26  1  0.21005129  0.37719644  0.25000000  1.0
  Ga  Ga27  1  0.15976242  0.46242749  0.54016595  1.0
  Ga  Ga28  1  0.84003681  0.53937160  0.46054326  1.0
  Ga  Ga29  1  0.33964070  0.96112310  0.46130949  1.0
  Ga  Ga30  1  0.84003681  0.53937160  0.03945674  1.0
  Ga  Ga31  1  0.66147478  0.03847314  0.53987983  1.0
  Ga  Ga32  1  0.15976242  0.46242749  0.95983405  1.0
  Ga  Ga33  1  0.66147478  0.03847314  0.96012017  1.0
  Ga  Ga34  1  0.33964070  0.96112310  0.03869051  1.0
  Si  Si35  1  0.78922308  0.62240166  0.75000000  1.0
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