HoGaTc4Ge
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3295371 · 空间群: Cmmm (#65)
基础信息
化学式
HoGaTc4Ge
MP-ID
mp-3295371
元素数
4
位点数
14
密度
10.2108
g/cm³
体积
227.45
ų
晶胞参数 a
7.2613
Å
晶胞参数 b
7.2613
Å
晶胞参数 c
4.3137
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.02
°
空间群
Cmmm
点群
mmm
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oC
稳定性
Yes
堆积分数
-
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 24.00 | 3.7086 | 22.8 | (1,0,1) |
| 24.52 | 3.6307 | 1.5 | (2,0,0) |
| 26.99 | 3.3030 | 5.2 | (1,-1,1) |
| 27.00 | 3.3026 | 3.9 | (1,1,1) |
| 27.46 | 3.2478 | 2.4 | (2,-1,0) |
| 27.47 | 3.2469 | 1.1 | (2,1,0) |
| 34.57 | 2.5946 | 94.3 | (2,-1,1) |
| 34.58 | 2.5942 | 100.0 | (2,1,1) |
| 34.94 | 2.5677 | 19.6 | (2,-2,0) |
| 34.96 | 2.5668 | 17.7 | (2,2,0) |
| 39.23 | 2.2965 | 49.4 | (3,-1,0) |
| 39.24 | 2.2960 | 50.3 | (3,1,0) |
| 40.90 | 2.2064 | 71.6 | (2,-2,1) |
| 40.91 | 2.2059 | 69.6 | (2,2,1) |
| 41.88 | 2.1569 | 97.9 | (0,0,2) |
| 42.84 | 2.1109 | 19.5 | (3,0,1) |
| 44.71 | 2.0271 | 53.1 | (3,-1,1) |
| 44.71 | 2.0268 | 52.2 | (3,1,1) |
| 45.02 | 2.0136 | 1.2 | (3,2,0) |
| 50.26 | 1.8153 | 2.9 | (4,0,0) |
| 51.92 | 1.7613 | 15.3 | (4,-1,0) |
| 51.92 | 1.7610 | 14.7 | (4,1,0) |
| 53.55 | 1.7112 | 1.4 | (3,3,0) |
| 55.65 | 1.6515 | 10.2 | (2,-2,2) |
能量属性
形成能/原子
-0.39333
eV/atom
能量/原子
-23.54400
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-23.5440
eV/atom
体积/原子
16.25
ų
c/a 比
0.5941
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0002
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Tc · 0.571
元素家族
4d-TM
溶质分数
0.429
间隙分数
0.000
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1537
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
9.5922
J/mol·K
Ω 参数
13.9941
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
10.757%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2416
越小混合越稳定
VEC
5.429
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-1.270
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8322
固溶体倾向
0
相趋势
IM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3295371
参考引用
The crystal structure and related material properties of HoGaTc4Ge were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3295371, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_HoGaTc4Ge
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 7.26130388
_cell_length_b 7.26130388
_cell_length_c 4.31369485
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 90.01856059
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural HoGaTc4Ge
_chemical_formula_sum 'Ho2 Ga2 Tc8 Ge2'
_cell_volume 227.44616663
_cell_formula_units_Z 2
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Ho Ho0 1 0.00000000 0.00000000 0.00000000 1.0
Ho Ho1 1 0.50000000 0.50000000 0.50000000 1.0
Ga Ga2 1 0.29469376 0.29469376 0.00000000 1.0
Ga Ga3 1 0.70530624 0.70530624 0.00000000 1.0
Tc Tc4 1 0.60549227 0.14408409 0.00000000 1.0
Tc Tc5 1 0.39450773 0.85591591 0.00000000 1.0
Tc Tc6 1 0.65052058 0.89630789 0.50000000 1.0
Tc Tc7 1 0.10369211 0.34947942 0.50000000 1.0
Tc Tc8 1 0.34947942 0.10369211 0.50000000 1.0
Tc Tc9 1 0.89630789 0.65052058 0.50000000 1.0
Tc Tc10 1 0.14408409 0.60549227 0.00000000 1.0
Tc Tc11 1 0.85591591 0.39450773 0.00000000 1.0
Ge Ge12 1 0.79356252 0.20643748 0.50000000 1.0
Ge Ge13 1 0.20643748 0.79356252 0.50000000 1.0
