导航

HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ho10Ga3SiBi4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3295910 · 空间群: Cm (#8)

基础信息

化学式
Ho10Ga3SiBi4
MP-ID
mp-3295910
元素数
4
位点数
18
密度
9.3409
g/cm³
体积
483.98
ų
晶胞参数 a
8.6283
Å
晶胞参数 b
8.6283
Å
晶胞参数 c
7.9558
Å
α 角
89.35
°
β 角
89.35
°
γ 角
125.18
°
空间群
Cm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.86664
eV/atom
能量/原子
-34.52912
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-34.5291
eV/atom
体积/原子
26.89
ų
c/a 比
0.9221

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
Yes
总磁矩
0.8900
μB
磁有序
FM
磁性位点数
6
磁化强度/体积
0.001840
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ho · 0.556
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.444
间隙分数
0.056
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1200
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.3116
J/mol·K
Ω 参数
5.9659
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
11.207%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3520
越小混合越稳定
VEC
7.944
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-1.918
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8079
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3295910
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho10Ga3SiBi4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3295910, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho10Ga3SiBi4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.62829630
_cell_length_b   8.62829541
_cell_length_c   7.95576379
_cell_angle_alpha   89.35142067
_cell_angle_beta   89.35141724
_cell_angle_gamma   125.17647105
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho10Ga3SiBi4
_chemical_formula_sum   'Ho10 Ga3 Si1 Bi4'
_cell_volume   483.97781033
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.04416036  0.28947688  0.33295759  1.0
  Ho  Ho1  1  0.95619032  0.71172043  0.66554454  1.0
  Ho  Ho2  1  0.46070737  0.20789299  0.83506112  1.0
  Ho  Ho3  1  0.78920643  0.54031878  0.16515420  1.0
  Ho  Ho4  1  0.54031878  0.78920643  0.16515420  1.0
  Ho  Ho5  1  0.20789299  0.46070737  0.83506112  1.0
  Ho  Ho6  1  0.71172043  0.95619032  0.66554454  1.0
  Ho  Ho7  1  0.28947688  0.04416036  0.33295759  1.0
  Ho  Ho8  1  0.99958349  0.99958349  0.99960731  1.0
  Ho  Ho9  1  0.49932037  0.49932037  0.50032346  1.0
  Ga  Ga10  1  0.37243167  0.37243167  0.12553268  1.0
  Ga  Ga11  1  0.62673980  0.62673980  0.87326250  1.0
  Ga  Ga12  1  0.13758686  0.13758686  0.63639204  1.0
  Si  Si13  1  0.86385345  0.86385345  0.36419042  1.0
  Bi  Bi14  1  0.79153596  0.20491643  0.00149902  1.0
  Bi  Bi15  1  0.20491643  0.79153596  0.00149902  1.0
  Bi  Bi16  1  0.70923778  0.29512062  0.50012833  1.0
  Bi  Bi17  1  0.29512062  0.70923778  0.50012833  1.0
获取直接链接