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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ho3ZnGaSi4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3295981 · 空间群: Imm2 (#44)

基础信息

化学式
Ho3ZnGaSi4
MP-ID
mp-3295981
元素数
4
位点数
18
密度
7.2229
g/cm³
体积
341.29
ų
晶胞参数 a
4.0621
Å
晶胞参数 b
4.0531
Å
晶胞参数 c
20.9281
Å
α 角
84.45
°
β 角
95.60
°
γ 角
90.08
°
空间群
Imm2
点群
mm2
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oI
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
4.26 20.7299 7.3 (0,0,1)
8.53 10.3650 1.8 (0,0,2)
12.81 6.9100 5.5 (0,0,3)
22.82 3.8977 36.1 (1,0,-2)
22.82 3.8967 36.6 (1,0,1)
22.86 3.8895 13.9 (0,1,-1)
22.87 3.8890 13.9 (0,1,2)
25.79 3.4550 64.5 (0,0,6)
29.31 3.0474 24.6 (1,0,-5)
29.32 3.0461 24.2 (1,0,4)
29.35 3.0433 73.2 (0,1,-4)
29.36 3.0425 73.3 (0,1,5)
33.81 2.6514 99.9 (1,-1,-4)
33.81 2.6512 100.0 (1,-1,2)
33.84 2.6487 99.9 (1,1,-3)
33.85 2.6478 99.3 (1,1,3)
39.11 2.3033 1.9 (0,0,9)
39.42 2.2856 58.1 (1,0,-8)
39.44 2.2847 58.5 (1,0,7)
39.46 2.2838 30.0 (0,1,-7)
39.47 2.2833 30.2 (0,1,8)
44.61 2.0310 67.4 (2,0,-1)
44.72 2.0265 67.0 (0,2,1)
50.68 1.8014 1.9 (2,-1,-3)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.69641
eV/atom
能量/原子
-17.81780
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-17.8178
eV/atom
体积/原子
18.96
ų
c/a 比
5.1521

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0002
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Si · 0.444
元素家族
Metalloid-Nonmetal
溶质分数
0.556
间隙分数
0.444
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2149
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.1006
J/mol·K
Ω 参数
2.3977
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
18.184%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.2988
越小混合越稳定
VEC
7.111
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-6.060
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8764
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3295981
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho3ZnGaSi4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3295981, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho3ZnGaSi4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   4.06205167
_cell_length_b   4.05305029
_cell_length_c   20.92812663
_cell_angle_alpha   84.45070125
_cell_angle_beta   95.60164989
_cell_angle_gamma   90.07752894
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho3ZnGaSi4
_chemical_formula_sum   'Ho6 Zn2 Ga2 Si8'
_cell_volume   341.29054102
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.37405934  0.87565977  0.24886994  1.0
  Ho  Ho1  1  0.03942734  0.21027132  0.57960553  1.0
  Ho  Ho2  1  0.70483398  0.54496646  0.91060331  1.0
  Ho  Ho3  1  0.29452172  0.45571310  0.08784374  1.0
  Ho  Ho4  1  0.96034893  0.79005605  0.41974491  1.0
  Ho  Ho5  1  0.62597333  0.12437785  0.75115448  1.0
  Zn  Zn6  1  0.90397700  0.34657509  0.30816963  1.0
  Zn  Zn7  1  0.56961487  0.68043184  0.63940895  1.0
  Ga  Ga8  1  0.23539249  0.01561957  0.97081691  1.0
  Ga  Ga9  1  0.76408506  0.98498310  0.02812385  1.0
  Si  Si10  1  0.43099076  0.31865446  0.36215308  1.0
  Si  Si11  1  0.09650578  0.65324930  0.69316655  1.0
  Si  Si12  1  0.84787302  0.40133747  0.19674726  1.0
  Si  Si13  1  0.51360972  0.73587714  0.52811202  1.0
  Si  Si14  1  0.17857543  0.07082117  0.85841361  1.0
  Si  Si15  1  0.82124124  0.92938500  0.14080748  1.0
  Si  Si16  1  0.48680539  0.26368532  0.47267795  1.0
  Si  Si17  1  0.15216859  0.59833498  0.80358081  1.0
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