Ho10SiSn6Ge

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3296028 · 空间群: P-31m (#162)

Materials Project API

基础信息

化学式

Ho10SiSn6Ge

MP-ID

mp-3296028

元素数

位点数

密度

8.7725

g/cm³

体积

466.09

Å³

晶胞参数 a

9.1319

晶胞参数 b

9.1319

晶胞参数 c

6.4538

α 角

90.00

β 角

90.00

γ 角

120.00

空间群

P-31m

点群

-3m

晶体系统

Trigonal

Bravais 格子

稳定性

Yes

堆积分数

0.7405

X 射线衍射

衍射图谱

靶材 / 辐射源

横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å

衍射峰（Top 24）

2θ	d (Å)	I	hkl
22.49	3.9542	2.6	(2,0,-2,0)
23.87	3.7274	2.2	(2,-1,-1,1)
27.64	3.2269	12.8	(0,0,0,2)
29.89	2.9891	22.4	(3,-1,-2,0)
29.91	2.9878	11.0	(1,0,-1,2)
33.03	2.7123	64.4	(2,1,-3,1)
33.03	2.7123	32.2	(3,-1,-2,1)
34.01	2.6361	40.6	(3,-3,0,0)
34.01	2.6361	20.3	(3,0,-3,0)
34.02	2.6352	100.0	(2,-1,-1,2)
35.92	2.5001	2.7	(2,0,-2,2)
39.47	2.2830	1.7	(4,-2,-2,0)
41.98	2.1523	2.0	(2,2,-4,1)
41.98	2.1523	1.0	(4,-2,-2,1)
43.58	2.0767	12.9	(4,-1,-3,1)
45.90	1.9771	2.3	(4,-4,0,0)
45.90	1.9771	1.1	(4,0,-4,0)
48.87	1.8637	8.5	(2,-4,2,2)
48.87	1.8637	17.0	(4,-2,-2,2)
50.30	1.8140	1.4	(4,-1,-3,2)
52.38	1.7466	14.3	(5,-2,-3,1)
52.40	1.7461	26.5	(3,-1,-2,3)
53.07	1.7258	5.4	(4,-5,1,0)
53.07	1.7258	5.4	(5,-1,-4,0)

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能量属性

形成能/原子

-0.86505

eV/atom

能量/原子

-28.63929

eV/atom

凸包距离

0.0000

eV/atom

未修正能量

-28.6393

eV/atom

体积/原子

25.89

Å³

c/a 比

0.7067

电子属性

金属性

金属

带隙

直接带隙

CBM

N/A

磁性属性

磁性

Yes

总磁矩

0.2748

μB

磁有序

磁性位点数

磁化强度/体积

0.000590

μB/Å³

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成（原子分数）

组成信息

主元 / 基质元素

Ho · 0.556

元素家族

Lanthanide

溶质分数

0.444

间隙分数

0.056

综合指标雷达（归一化）

元素类别占比

混合熵 ΔS/R

1.0139

高熵判据（>1.0 视为高熵）

混合熵 ΔS

8.4296

J/mol·K

Ω 参数

6.9332

Ω > 1.1 利于固溶体形成

原子尺寸错配 δr

11.142%

δr < 6.6% 利于单相固溶

电负性差 Δχ

0.3626

越小混合越稳定

VEC

7.889

价电子浓度，影响相稳定性

混合焓 ΔH_mix

-1.572

kJ/mol 且负值为放热混合

熵归一化

0.7314

固溶体倾向

相趋势

关联任务

关联的计算任务 ID（1 个）

aaahfnui

引用参考

Materials Project 官方页面

https://materialsproject.org/materials/mp-3296028

参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho10SiSn6Ge were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3296028, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

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原始 CIF 数据

# generated using pymatgen
data_Ho10SiSn6Ge
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   9.13184766
_cell_length_b   9.13184879
_cell_length_c   6.45384060
_cell_angle_alpha   90.00000000
_cell_angle_beta   90.00000000
_cell_angle_gamma   119.99999943
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho10SiSn6Ge
_chemical_formula_sum   'Ho10 Si1 Sn6 Ge1'
_cell_volume   466.08619382
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.66666700  0.33333300  0.00000000  1.0
  Ho  Ho1  1  0.33333300  0.66666700  0.00000000  1.0
  Ho  Ho2  1  0.33333300  0.66666700  0.50000000  1.0
  Ho  Ho3  1  0.66666700  0.33333300  0.50000000  1.0
  Ho  Ho4  1  0.74735789  0.74735789  0.74793118  1.0
  Ho  Ho5  1  0.25264211  0.00000000  0.74793118  1.0
  Ho  Ho6  1  1.00000000  0.25264211  0.74793118  1.0
  Ho  Ho7  1  0.25264211  0.25264211  0.25206882  1.0
  Ho  Ho8  1  0.74735789  1.00000000  0.25206882  1.0
  Ho  Ho9  1  0.00000000  0.74735789  0.25206882  1.0
  Si  Si10  1  0.00000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Sn  Sn11  1  0.39333408  0.39333408  0.75000941  1.0
  Sn  Sn12  1  0.60666592  1.00000000  0.75000941  1.0
  Sn  Sn13  1  0.00000000  0.60666592  0.75000941  1.0
  Sn  Sn14  1  0.60666592  0.60666592  0.24999059  1.0
  Sn  Sn15  1  0.39333408  0.00000000  0.24999059  1.0
  Sn  Sn16  1  1.00000000  0.39333408  0.24999059  1.0
  Ge  Ge17  1  0.00000000  0.00000000  0.00000000  1.0

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