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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Dy10GaSi3Sb4

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3296060 · 空间群: Cm (#8)

基础信息

化学式
Dy10GaSi3Sb4
MP-ID
mp-3296060
元素数
4
位点数
18
密度
8.0375
g/cm³
体积
468.16
ų
晶胞参数 a
8.5120
Å
晶胞参数 b
8.5120
Å
晶胞参数 c
7.8786
Å
α 角
89.79
°
β 角
89.79
°
γ 角
124.90
°
空间群
Cm
点群
m
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-1.04461
eV/atom
能量/原子
-26.62279
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-26.6228
eV/atom
体积/原子
26.01
ų
c/a 比
0.9256

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0600
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000130
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Dy · 0.556
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.444
间隙分数
0.167
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1200
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
9.3116
J/mol·K
Ω 参数
6.6115
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
14.368%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3745
越小混合越稳定
VEC
7.500
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-2.017
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8079
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3296060
参考引用

The crystal structure and related material properties of Dy10GaSi3Sb4 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3296060, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Dy10GaSi3Sb4
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.51196150
_cell_length_b   8.51196185
_cell_length_c   7.87859033
_cell_angle_alpha   89.78993572
_cell_angle_beta   89.78994072
_cell_angle_gamma   124.89889552
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Dy10GaSi3Sb4
_chemical_formula_sum   'Dy10 Ga1 Si3 Sb4'
_cell_volume   468.16001300
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Dy  Dy0  1  0.04042942  0.29308137  0.33437355  1.0
  Dy  Dy1  1  0.95935198  0.70940174  0.66533559  1.0
  Dy  Dy2  1  0.45975338  0.20561145  0.83336725  1.0
  Dy  Dy3  1  0.79293400  0.53971985  0.16563255  1.0
  Dy  Dy4  1  0.53971985  0.79293400  0.16563255  1.0
  Dy  Dy5  1  0.20561145  0.45975338  0.83336725  1.0
  Dy  Dy6  1  0.70940174  0.95935198  0.66533559  1.0
  Dy  Dy7  1  0.29308137  0.04042942  0.33437355  1.0
  Dy  Dy8  1  0.99870211  0.99870211  0.99916168  1.0
  Dy  Dy9  1  0.50128029  0.50128029  0.50156373  1.0
  Ga  Ga10  1  0.36939775  0.36939775  0.12928538  1.0
  Si  Si11  1  0.62838794  0.62838794  0.87147082  1.0
  Si  Si12  1  0.13365320  0.13365320  0.63100014  1.0
  Si  Si13  1  0.86835133  0.86835133  0.36727301  1.0
  Sb  Sb14  1  0.79278865  0.20301448  0.00032272  1.0
  Sb  Sb15  1  0.20301448  0.79278865  0.00032272  1.0
  Sb  Sb16  1  0.70753915  0.29660293  0.50108946  1.0
  Sb  Sb17  1  0.29660293  0.70753915  0.50108946  1.0
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