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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ba4Ga7SiIr8

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3296395 · 空间群: C2 (#5)

基础信息

化学式
Ba4Ga7SiIr8
MP-ID
mp-3296395
元素数
4
位点数
20
密度
9.9738
g/cm³
体积
433.41
ų
晶胞参数 a
6.2001
Å
晶胞参数 b
8.4678
Å
晶胞参数 c
8.4672
Å
α 角
77.16
°
β 角
89.63
°
γ 角
89.62
°
空间群
C2
点群
2
晶体系统
Monoclinic
Bravais 格子
mC
稳定性
Yes
堆积分数
-

能量属性

形成能/原子
-0.68120
eV/atom
能量/原子
-31.36852
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-31.3685
eV/atom
体积/原子
21.67
ų
c/a 比
1.3657

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0060
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000010
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ir · 0.400
元素家族
5d-TM
溶质分数
0.600
间隙分数
0.050
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.2056
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
10.0236
J/mol·K
Ω 参数
2.1928
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
21.596%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.4796
越小混合越稳定
VEC
5.250
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-6.792
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8697
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3296395
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ba4Ga7SiIr8 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3296395, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ba4Ga7SiIr8
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   6.20010406
_cell_length_b   8.46784325
_cell_length_c   8.46718407
_cell_angle_alpha   77.15772968
_cell_angle_beta   89.63408190
_cell_angle_gamma   89.62157246
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ba4Ga7SiIr8
_chemical_formula_sum   'Ba4 Ga7 Si1 Ir8'
_cell_volume   433.40509204
_cell_formula_units_Z   1
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ba  Ba0  1  0.37490255  0.00017312  0.24993322  1.0
  Ba  Ba1  1  0.87506933  0.49985247  0.75071431  1.0
  Ba  Ba2  1  0.11974349  0.50059182  0.25055502  1.0
  Ba  Ba3  1  0.63025827  0.99921445  0.74924689  1.0
  Ga  Ga4  1  0.37554418  0.32022191  0.92951255  1.0
  Ga  Ga5  1  0.13040727  0.17659459  0.57220441  1.0
  Ga  Ga6  1  0.62225142  0.32426280  0.42884410  1.0
  Ga  Ga7  1  0.87502476  0.82404847  0.42569434  1.0
  Ga  Ga8  1  0.87485656  0.17723993  0.07266789  1.0
  Ga  Ga9  1  0.61916506  0.67784570  0.07367960  1.0
  Ga  Ga10  1  0.12828184  0.82147100  0.92565931  1.0
  Si  Si11  1  0.37470530  0.67290282  0.57705432  1.0
  Ir  Ir12  1  0.37071483  0.38738505  0.62897992  1.0
  Ir  Ir13  1  0.61158134  0.62634245  0.37909084  1.0
  Ir  Ir14  1  0.13811707  0.87107638  0.62352340  1.0
  Ir  Ir15  1  0.12723503  0.12042028  0.87085072  1.0
  Ir  Ir16  1  0.62282143  0.37915176  0.12980306  1.0
  Ir  Ir17  1  0.87335184  0.87750675  0.12691841  1.0
  Ir  Ir18  1  0.37927888  0.62089227  0.86262731  1.0
  Ir  Ir19  1  0.87669054  0.12280499  0.37244036  1.0
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