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HEAS Data Platform · 材料科学计算数据库

Ho6GaTcNi

高熵材料 HEA

MP-ID: mp-3296477 · 空间群: Immm (#71)

基础信息

化学式
Ho6GaTcNi
MP-ID
mp-3296477
元素数
4
位点数
18
密度
9.3027
g/cm³
体积
434.11
ų
晶胞参数 a
8.2793
Å
晶胞参数 b
8.2793
Å
晶胞参数 c
8.2793
Å
α 角
113.14
°
β 角
111.07
°
γ 角
104.33
°
空间群
Immm
点群
mmm
晶体系统
Orthorhombic
Bravais 格子
oI
稳定性
Yes
堆积分数
-

X 射线衍射

衍射图谱
横轴为 2θ (°),纵轴为相对强度,Cu Kα , λ=1.5418 Å
衍射峰(Top 24)
2θd (Å)Ihkl
13.04 6.7871 6.1 (1,0,-1)
13.55 6.5365 7.8 (0,0,1)
22.17 4.0103 2.4 (1,1,-2)
25.87 3.4435 4.1 (0,2,-2)
26.26 3.3935 31.3 (2,0,-2)
27.29 3.2683 10.2 (0,0,2)
28.02 3.1841 34.1 (1,2,-2)
28.11 3.1741 1.8 (2,1,-2)
29.93 2.9854 23.9 (1,-2,2)
30.25 2.9550 13.2 (1,-1,2)
30.69 2.9132 1.6 (2,-1,-2)
30.92 2.8925 42.2 (1,-1,-2)
32.58 2.7483 100.0 (3,-1,-1)
34.12 2.6278 2.8 (1,2,-3)
34.35 2.6109 54.7 (2,1,-3)
35.14 2.5541 91.4 (0,2,-3)
35.35 2.5392 23.9 (2,2,-2)
35.72 2.5134 7.5 (2,0,-3)
35.95 2.4979 72.3 (0,1,-3)
36.31 2.4739 37.7 (1,0,-3)
38.02 2.3669 13.5 (2,2,-3)
38.43 2.3425 9.0 (2,-2,2)
39.51 2.2807 28.0 (2,-2,-2)
39.85 2.2624 34.2 (3,0,-3)
获取直接链接

能量属性

形成能/原子
-0.34849
eV/atom
能量/原子
-27.75707
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-27.7571
eV/atom
体积/原子
24.12
ų
c/a 比
1.0000

电子属性

金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV

磁性属性

磁性
No
总磁矩
0.0668
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000150
μB/ų

弹性属性

弹性数据暂不开放

特征分析

元素组成(原子分数)
组成信息
主元 / 基质元素
Ho · 0.667
元素家族
Lanthanide
溶质分数
0.333
间隙分数
0.000
综合指标雷达(归一化)
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.0027
高熵判据(>1.0 视为高熵)
混合熵 ΔS
8.3366
J/mol·K
Ω 参数
13.9413
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
12.965%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3044
越小混合越稳定
VEC
9.333
价电子浓度,影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-0.988
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.7233
固溶体倾向
0
相趋势
IM

关联任务

关联的计算任务 ID(1 个)

引用参考

Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3296477
参考引用

The crystal structure and related material properties of Ho6GaTcNi were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3296477, database version v2026.04.13).

文献引用

Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0

晶体结构 3D 渲染

加载 3D 结构...

样式: Ball & Stick
原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Ho6GaTcNi
_symmetry_space_group_name_H-M   'P 1'
_cell_length_a   8.27928734
_cell_length_b   8.27928720
_cell_length_c   8.27928751
_cell_angle_alpha   113.13568414
_cell_angle_beta   111.07445420
_cell_angle_gamma   104.33017520
_symmetry_Int_Tables_number   1
_chemical_formula_structural   Ho6GaTcNi
_chemical_formula_sum   'Ho12 Ga2 Tc2 Ni2'
_cell_volume   434.11337899
_cell_formula_units_Z   2
loop_
 _symmetry_equiv_pos_site_id
 _symmetry_equiv_pos_as_xyz
  1  'x, y, z'
loop_
 _atom_site_type_symbol
 _atom_site_label
 _atom_site_symmetry_multiplicity
 _atom_site_fract_x
 _atom_site_fract_y
 _atom_site_fract_z
 _atom_site_occupancy
  Ho  Ho0  1  0.05395370  0.74495885  0.30899485  1.0
  Ho  Ho1  1  0.94604630  0.25504115  0.69100515  1.0
  Ho  Ho2  1  0.56403800  0.25504115  0.30899485  1.0
  Ho  Ho3  1  0.43596200  0.74495885  0.69100515  1.0
  Ho  Ho4  1  0.66749702  0.85089700  0.18339798  1.0
  Ho  Ho5  1  0.33250298  0.51590095  0.18339798  1.0
  Ho  Ho6  1  0.33250298  0.14910300  0.81660202  1.0
  Ho  Ho7  1  0.66749702  0.48409905  0.81660202  1.0
  Ho  Ho8  1  0.17899275  0.21836376  0.39735751  1.0
  Ho  Ho9  1  0.82100725  0.21836376  0.03937101  1.0
  Ho  Ho10  1  0.17899275  0.78163624  0.96062899  1.0
  Ho  Ho11  1  0.82100725  0.78163624  0.60264249  1.0
  Ga  Ga12  1  0.00000000  0.50000000  0.50000000  1.0
  Ga  Ga13  1  0.50000000  0.00000000  0.50000000  1.0
  Tc  Tc14  1  0.68353886  0.50000000  0.18353886  1.0
  Tc  Tc15  1  0.31646114  0.50000000  0.81646114  1.0
  Ni  Ni16  1  0.88355883  0.88355883  0.00000000  1.0
  Ni  Ni17  1  0.11644117  0.11644117  1.00000000  1.0
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