Y3Ga8SnOs3
高熵材料 HEAMP-ID: mp-3296580 · 空间群: Pm-3m (#221)
基础信息
化学式
Y3Ga8SnOs3
MP-ID
mp-3296580
元素数
4
位点数
15
密度
9.4808
g/cm³
体积
265.16
ų
晶胞参数 a
6.4244
Å
晶胞参数 b
6.4244
Å
晶胞参数 c
6.4244
Å
α 角
90.00
°
β 角
90.00
°
γ 角
90.00
°
空间群
Pm-3m
点群
m-3m
晶体系统
Cubic
Bravais 格子
cP
稳定性
Yes
堆积分数
0.5236
X 射线衍射
衍射图谱
横轴为 2θ (°)，纵轴为相对强度，Cu Kα ， λ=1.5418 Å
衍射峰（Top 24）
| 2θ | d (Å) | I | hkl |
|---|---|---|---|
| 13.78 | 6.4244 | 5.8 | (1,0,0) |
| 19.54 | 4.5428 | 4.2 | (1,1,0) |
| 23.99 | 3.7091 | 19.6 | (1,1,1) |
| 27.77 | 3.2122 | 13.4 | (2,0,0) |
| 31.13 | 2.8731 | 5.3 | (2,1,0) |
| 34.19 | 2.6228 | 5.7 | (2,1,1) |
| 39.68 | 2.2714 | 100.0 | (2,2,0) |
| 42.20 | 2.1415 | 5.2 | (2,2,1) |
| 44.60 | 2.0316 | 5.4 | (3,1,0) |
| 46.91 | 1.9370 | 12.9 | (3,1,1) |
| 49.13 | 1.8546 | 6.5 | (2,2,2) |
| 51.27 | 1.7818 | 5.6 | (3,2,0) |
| 57.37 | 1.6061 | 13.4 | (4,0,0) |
| 59.31 | 1.5582 | 3.6 | (4,1,0) |
| 63.08 | 1.4739 | 3.2 | (3,3,1) |
| 64.91 | 1.4365 | 12.8 | (4,2,0) |
| 68.51 | 1.3697 | 3.5 | (3,3,2) |
| 72.01 | 1.3114 | 24.0 | (4,2,2) |
| 73.74 | 1.2849 | 2.0 | (4,3,0) |
| 75.45 | 1.2599 | 1.3 | (5,1,0) |
| 77.15 | 1.2364 | 4.4 | (3,3,3) |
| 80.51 | 1.1930 | 3.8 | (4,3,2) |
| 82.18 | 1.1729 | 1.9 | (5,2,1) |
| 85.50 | 1.1357 | 6.8 | (4,4,0) |
能量属性
形成能/原子
-0.57329
eV/atom
能量/原子
-22.98562
eV/atom
凸包距离
0.0000
eV/atom
未修正能量
-22.9856
eV/atom
体积/原子
17.68
ų
c/a 比
1.0000
电子属性
金属性
金属
带隙
0
eV
直接带隙
No
CBM
N/A
eV
磁性属性
磁性
No
总磁矩
0.0003
μB
磁有序
NM
磁性位点数
0
磁化强度/体积
0.000000
μB/ų
弹性属性
弹性数据暂不开放
特征分析
元素组成（原子分数）
组成信息
主元 / 基质元素
Ga · 0.533
元素家族
PostTransition-Noble
溶质分数
0.467
间隙分数
0.000
综合指标雷达（归一化）
元素类别占比
混合熵 ΔS/R
1.1596
高熵判据（>1.0 视为高熵）
混合熵 ΔS
9.6407
J/mol·K
Ω 参数
0.6598
Ω > 1.1 利于固溶体形成
原子尺寸错配 δr
12.345%
δr < 6.6% 利于单相固溶
电负性差 Δχ
0.3172
越小混合越稳定
VEC
4.067
价电子浓度，影响相稳定性
混合焓 ΔH_mix
-17.772
kJ/mol 且负值为放热混合
熵归一化
0.8365
固溶体倾向
0
相趋势
AM
关联任务
关联的计算任务 ID（1 个）
引用参考
Materials Project 官方页面
https://materialsproject.org/materials/mp-3296580
参考引用
The crystal structure and related material properties of Y3Ga8SnOs3 were obtained from the Materials Project database (MP-ID: mp-3296580, database version v2026.04.13).
文献引用
Horton, M.K., Huck, P., Yang, R.X. et al. Accelerated data-driven materials science with the Materials Project. Nat. Mater. 24, 1522–1532 (2025). https://doi.org/10.1038/s41563-025-02272-0
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原始 CIF 数据
# generated using pymatgen
data_Y3Ga8SnOs3
_symmetry_space_group_name_H-M 'P 1'
_cell_length_a 6.42441925
_cell_length_b 6.42441925
_cell_length_c 6.42441925
_cell_angle_alpha 90.00000000
_cell_angle_beta 90.00000000
_cell_angle_gamma 90.00000000
_symmetry_Int_Tables_number 1
_chemical_formula_structural Y3Ga8SnOs3
_chemical_formula_sum 'Y3 Ga8 Sn1 Os3'
_cell_volume 265.15610099
_cell_formula_units_Z 1
loop_
_symmetry_equiv_pos_site_id
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
1 'x, y, z'
loop_
_atom_site_type_symbol
_atom_site_label
_atom_site_symmetry_multiplicity
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_occupancy
Y Y0 1 0.50000000 0.00000000 0.00000000 1.0
Y Y1 1 0.00000000 0.50000000 0.00000000 1.0
Y Y2 1 0.00000000 0.00000000 0.50000000 1.0
Ga Ga3 1 0.29301619 0.29301619 0.29301619 1.0
Ga Ga4 1 0.70698381 0.70698381 0.70698381 1.0
Ga Ga5 1 0.70698381 0.70698381 0.29301619 1.0
Ga Ga6 1 0.70698381 0.29301619 0.70698381 1.0
Ga Ga7 1 0.29301619 0.29301619 0.70698381 1.0
Ga Ga8 1 0.29301619 0.70698381 0.29301619 1.0
Ga Ga9 1 0.29301619 0.70698381 0.70698381 1.0
Ga Ga10 1 0.70698381 0.29301619 0.29301619 1.0
Sn Sn11 1 0.00000000 0.00000000 0.00000000 1.0
Os Os12 1 0.00000000 0.50000000 0.50000000 1.0
Os Os13 1 0.50000000 0.00000000 0.50000000 1.0
Os Os14 1 0.50000000 0.50000000 0.00000000 1.0
